電界効果トランジスタの特性について

このQ&Aのポイント
  • 有機の電界効果トランジスタのトランジスタ特性(SD電流-G電圧特性)を先日測定したところ、ゲート電圧をプラスへ上げていくとOFF状態になってソース・ドレイン電流が減少しました。
  • G電圧+50Vから折り返してマイナス-50Vの方にまで同様に電圧を掛けて測定してみたところ、グラフが行きと帰りでは一致しておらず、グラフが縦の楕円のような曲線になりました。
  • 行きの+50Vの時のSD電流値より帰りの+40Vの時の電流値の方が下がるという妙な現象が起きたのですが、これはどのような原因が考えられますか。
回答を見る
  • ベストアンサー

電界効果トランジスタの特性について

有機の電界効果トランジスタのトランジスタ特性(SD電流-G電圧特性)を先日測定したところ、ゲート電圧をプラスへ上げていくとOFF状態になってソース・ドレイン電流が減少しました。そして何となくそのG電圧+50Vから折り返してマイナス-50Vの方にまで同様に電圧を掛けて測定してみたのですが、グラフが行きと帰りでは一致しておらず、グラフが縦の楕円のような曲線になりました。行きの+50Vの時のSD電流値より帰りの+40Vの時の電流値の方が下がるという妙な現象が起きたのですが、これはどのような原因が考えられますか。 参考書をいくつか漁ってみましたが、そのような内容は見当たりません。どなたか教えてもらえないでしょうか。ちなみに半導体層はp型です。

質問者が選んだベストアンサー

  • ベストアンサー
  • catpow
  • ベストアンサー率24% (620/2527)
回答No.1

ネットで「FET ヒステリシス」と入れて検索すると、沢山ヒットしますよ。

kasasa99
質問者

お礼

有難うございました。

関連するQ&A

  • 有機電界効果トランジスタ

    有機電界効果トランジスタについて質問させて頂きます。 有機電界効果トランジスタにおいて、移動度はゲート電圧に依存してしまい、無機では依存しないとのことですが、どういう原理なのでしょうか??よろしくお願い致します。

  • トランジスタの静特性

    職場で技術学習会なるものが発足してトランジスタの特性を調べています。 これまで電子部品等とは縁遠い人生を歩んできたので何を調べているのかさえ判りません。 Vce-Ic特性というものを調べているのですが これは一体何を調べているのでしょう? Vceの電圧を上げてゆくとトランジスタのcからeへたくさん 電流が流れるということでよいのでしょうか? トランジスタのbからeへ流れる電流も変化させて、 この値が小さいときに大きいときと比べてグラフの形が変わる理由について 調べるのが主眼なのですが、そのずっと手前でつっかえている状況です。 よろしくご教示ください。

  • トランジスタの特性グラフについて

    レポートの原理でトランジスタのことを 調べているんですが、電圧ー電流特性のグラフが 自分でも調べてみたのですが、 どこのHPにも載っていません。 なので、載っているHPを知っていたら教えて下さい お願いします

  • バイポーラトランジスタの静特性について

    バイポーラトランジスタ(2SC1815)をエミッタ接地し、B,C方向が正となるように直流電源を接続し、電圧電流特性(VCE-IC特性,VBE-IB特性)を測定しました(1,Vceを一定(0,2,5[V])にしてIbを変化させVbeを測定する。2,Ibを一定(10,20,30[uA])にして(Vceを変化させIcを測定する)。 そして、(1)このトランジスタのhパラメータを求めよ、(2)このエミッタ接地のトランジスタの等価回路を求めよ、と言われました。(1)において、hパラメータについては理解しているつもりです。しかし、測定したデータから、hパラメータの要素である入力抵抗、出力抵抗、電圧利得、電流利得をどのようにもとめたらよいのか分かりませんでした。(2)において、バイポーラトランジスタの直流等価回路の回路図と、α(電流増幅率)は分かったのですが、rb(ベース抵抗)をどのように求めたらよいのか分かりませんでした。 参考書やネットを駆使して答えを導き出そうとしましたが、まったくありえない値になってしまったりしています。基本的なこととは思いますが、教えていただきたく思います。よろしくお願いします。

  • トランジスタの電流増幅特性

    トランジスタの電流増幅特性  トランジスタによる電流増幅回路の実験で入出力電流特性の測定をしたところ、入力電流の上昇につれて出力電流の増加の割合が小さくなっていきました。グラフにしてみると、リニアな部分とそうでない部分が見られました。この現象の理由を教えていただきたいです。よろしくお願いします。

  • MOSトランジスタの電流電圧特性について

    今日、学校でMOSトランジスタの電流電圧特性を測定する実験を行いました。 この電流電圧特性の実験の結果をみて、考えられる誤差について検討しなくてはならないんですが、どのような誤差がどうして発生するのかがわかりません。 教えてください!

  • トランジスタの特性

    トランジスタのVBE-IB特性のグラフでダイオードの順方向特性と同じ形だけど電流値は小さい理由を教えてください。よろしくお願いします。

  • 接合型電界効果トランジスタの増幅率

    先日、接合型電界効果トランジスタを用いで実験を行いました。 第1象限に接合型電界効果トランジスタの静特性のId-Vds特性を書きました。 (各Vgsについて書きました。) 第2象限にはId-Vgs特性を書きました。 この第2象限のグラフから、Vgs=-0.8Vのときの傾きを求めて 相互コンダクタンスを求めました。(-0.8が動作点) 同様に第1象限から出力抵抗を求め、相互コンダクタンスと掛け合わせると 約10倍となりました。 しかし、オシロスコープで入出力信号の波形を観測して、 振幅比をみると約5倍にしかなりません。 なぜなのでしょうか? 負荷抵抗があっていなく、頭打ちになっているのでしょうか?

  • FETの特性

    現在、FET(電界効果トランジスタ)を使った実験をしています。 そこで測定した値に見られる傾向を書きたいのですが、 ゲート側の電圧を一定にしたときの出力インピーダンスはドレイン側の電流に反比例する。でいいんでしょうか? また相互コンダクタンスはどのような傾向になりますか?

  • mosトランジスタの電圧-電流特性について

    昨日からテスト勉強しているのですがmosトランジスタの電流-電圧特性が基本的に全然わかりません。 どなたかmosトランジスタの電圧-電流特性について詳しく教えてください。