• ベストアンサー

トランジスタの電流増幅特性

トランジスタの電流増幅特性  トランジスタによる電流増幅回路の実験で入出力電流特性の測定をしたところ、入力電流の上昇につれて出力電流の増加の割合が小さくなっていきました。グラフにしてみると、リニアな部分とそうでない部分が見られました。この現象の理由を教えていただきたいです。よろしくお願いします。

質問者が選んだベストアンサー

  • ベストアンサー
  • angkor_h
  • ベストアンサー率35% (551/1557)
回答No.1

データシートと実験値が異なってしまった、と言うことでしょうか? たとえば、非飽和領域にもかかわらず飽和してしまった? その実験回路は、飽和していませんか? それとも、電位障壁の発生のメカニズム(限界)が知りたい? 解かりやすい(かもしれない)ご参考; http://startelc.com/elc/elc_3_7Tr4amp.html #### ご参考は以下から引用しました。 http://detail.chiebukuro.yahoo.co.jp/qa/question_detail/q12109702517

その他の回答 (1)

  • Donotrely
  • ベストアンサー率41% (537/1280)
回答No.2

どういう回路でそうなったか分かりませんけど、 想像するに、 エミッタ接地かなにかで、 ベース電流を増して行ったらコレクタ電流が増加した、 というようなお話でしょうか? もしそうなら、ベース電流がある程度多くなると、 コレクタ-エミッタ間のオン抵抗が最低まで下がり、 電流が頭打ちになったということではないでしょうか?

関連するQ&A

  • バイポーラトランジスタについて

    バイポーラトランジスタについて質問があります。 先日バイポーラトランジスタの静特性に関する測定実験を行ったのですが、リニア状態・飽和状態、ならびに電流増幅作用がいまひとつ理解できませんでした。 また、作成したnpnバイポーラトランジスタ測定回路においてコレクタ側に抵抗を接続する理由も教えていただければ幸いです。どうやら二つの理由があるらしいところまではわかったのですが、詳しくはわかりませんでした。 よろしければ簡潔に説明をお願いします。 念のため回路の概略を記述しておきます。 ベース側には電源1.5Vの乾電池、直列に1kΩ抵抗と可変抵抗がつながっており、コレクタ側には電源9Vの乾電池と510Ωの抵抗がこちらも直列に接続されており、エミッタ側はアースにのびています。 さらにIb,Ic,Vbe,Vceを測る電流計・電圧計が各部に適切に接続されている状態です。 実験内容としてVbe-Ib特性グラフ、Ib-Ic特性グラフ、Vce-Ic特性グラフを作成しました。

  • 電流の増幅に関して

    こんにちは 入力部分の微弱電流(5mA程)を増幅させたいのですが(200mA程まで)、色々と調べた所・・トランジスターを使用した増幅回路でその作業を行う事が出来る事は分かりましたが、トランジスターの増幅回路以外で電流を増幅する事が出来る回路は他にありませんか?

  • バイポーラトランジスタの静特性について

    バイポーラトランジスタ(2SC1815)をエミッタ接地し、B,C方向が正となるように直流電源を接続し、電圧電流特性(VCE-IC特性,VBE-IB特性)を測定しました(1,Vceを一定(0,2,5[V])にしてIbを変化させVbeを測定する。2,Ibを一定(10,20,30[uA])にして(Vceを変化させIcを測定する)。 そして、(1)このトランジスタのhパラメータを求めよ、(2)このエミッタ接地のトランジスタの等価回路を求めよ、と言われました。(1)において、hパラメータについては理解しているつもりです。しかし、測定したデータから、hパラメータの要素である入力抵抗、出力抵抗、電圧利得、電流利得をどのようにもとめたらよいのか分かりませんでした。(2)において、バイポーラトランジスタの直流等価回路の回路図と、α(電流増幅率)は分かったのですが、rb(ベース抵抗)をどのように求めたらよいのか分かりませんでした。 参考書やネットを駆使して答えを導き出そうとしましたが、まったくありえない値になってしまったりしています。基本的なこととは思いますが、教えていただきたく思います。よろしくお願いします。

  • MOSトランジスタの電流電圧特性について

    今日、学校でMOSトランジスタの電流電圧特性を測定する実験を行いました。 この電流電圧特性の実験の結果をみて、考えられる誤差について検討しなくてはならないんですが、どのような誤差がどうして発生するのかがわかりません。 教えてください!

  • トランジスター電流増幅回路以外で電流を増幅する方法について

    微弱電流(2~3mA程)を300mAまで増幅出来る回路を作成しようと色々調べていますが殆どトランジスターを使った電流増幅回路ばかりです。 無論広く使われている回路だと思いますが部品数が多いのと色々と回路事態が複雑になってしまいそうなのでもっと別の方法で増幅する方法を考えていますが、トランジスター以外に電流のみを増幅する事が出来る回路は何かありますか? トランジスターの集まりでもあるオペアンプを使って電流増幅が出来るかなと思いましたがそれに関しては何も情報が見つからないので無理かなぁと思いましたがどうでしょうか? ちなみに入力信号は矩形波(Square wave)で周波数は約50Hzで振幅は約0~4.8Vです。

  • トランジスタの問題

    括 弧内の正しい文言にOを 付けて下さい。 トランジスタを用いた増幅回路では、増幅機能に(1線形性口非線形性ロスイッチング特性)を 持 たせるために適切なバイアス電圧を与える必要がある。図のような(2 反転増幅回路・非反転増 幅回路・電圧電流変換回路・周波数特性回路)に 組み込まれている(3 自己口固定口電流帰還)バ イアス回路には、さらにトランジスタの熱特性による出力の変動を抑える機能がある。この回路で はバイアス電圧は(4一定に保たれている・適宜変動する・切り替えられる)。 熱特性により増幅 率が減少すると、(5ベース・エミッタ・コレクタ)電流が(6減少する・増加する。変化しない)。 そこ で、エミッタ抵抗での電圧降下が(7減少する・増加する・変化しない)の で、ベースとエミッタの間 の電位差が(3減少する・増加する・変化しない)。 その結果、増幅率は減少したままでも、ベース 電流が (9 減少する・増加する・変化しない)の で、コレクタ電流 自体はもとに戻る。一方、増幅率 が増加すると逆の手順でコレクタ電流はもとに戻る。このように増幅率の変化を打ち消すようにベ ース電流が変化するので、結果的にコレクタ電流は一定となり、増幅回路の出力が安定する。こ のような(10 負帰還型・正帰還型口開ループ型)の 出力制御を行うと増幅器の出力を安定にするこ とができる。 同じ質問を以前もしましたが、図を添付し忘れていたので、回答お願いします

  • トランジスタのことで

    トランジスタの静特性の測定の実験をやったんですが、考察を書くうえでわからないことがでてきました。 ひとつは今回の実験はNPN形のトランジスタを使い、ベース接地回路とエミッタ接地回路について行ったんですが、コレクタ接地回路はやりませんでした。なぜコレクタ接地回路はやらなかったか? もうひとつは、ベース接地回路において出力したときコレクタ電圧が0Vなのにコレクタ電流に電流が流れるのはなぜ?またコレクタ電流が0Aになる条件は? というものです。 よろしくおねがいします。

  • トランジスタ増幅器の周波数特性について

    とても,基本的なこととはおもうのですが・・・低周波遮断回路,第一段負帰還増幅器,高周波遮断回路,第二段負帰還増幅器の順に等価回路をつくり,トランジスタ増幅器の周波数特性を調べる実験を行いました。ネットや,本などで色々調べたのですが,低周波遮断回路と高周波遮断回路の役割が,よくわかりません。ぜひ教えてください!

  • トランジスタの電流帰還バイアス回路の増幅度

    以降に出てくる増幅回路は、小信号電圧増幅で低周波を扱い、エミッタ接地回路のA級増幅です。 バイポーラトランジスタで固定バイアス増幅回路を作成し、入力と出力を実測したら増幅度は約184でした。回路は以下の感じです。 +-----*------------Vcc | | R1 RL | | | *------------Vout | | + | C Vin----C--*-----B NPNトランジスタ 10μF | E | | | | o-------*-----*------------o (hfe×RL)/hieの式で理論値が求まるので、hパラメータのグラフから補正値を読み、hfeとhieにその補正値を掛けて計算したところ増幅度は約180でした。約2%の誤差でした。 今度は、固定バイアス増幅回路で使用したトランジスタを今度は電流帰還バイアス増幅回路で使用し、増幅度を上げるためエミッタ側の抵抗と並列に、スイッチと共に1000μFのアルミ電解コンデンサを付けました。回路は以下の感じです。 +-----*------------Vcc | | R1 RL | | | *------------Vout | | + | C Vin----C--*-----B NPNトランジスタ 10μF | E | | SW | *-----o o--* | | |+ R2 Re C 1000μF | | | o-------*-----*------------o 入力と出力を実測したら増幅度は約200でした。前述の固定バイアスと同じように理論値を計算したところ、増幅度は約260でした。かなりの誤差でした。 抵抗RLの10%誤差、hパラメータのグラフの読み取り誤差を考慮して再計算しましたが、実測増幅度の200には程遠い値しか出ません(250とか...)。 なぜ固定バイアス増幅回路で使用したトランジスタを電流帰還バイアス増幅回路に使用するとこれほどまでに誤差が大きくなるのでしょうか。 回路上で他に見落としがあるのでしょうか。それとも、もともと電流帰還増幅回路はこういうものなのでしょうか。 現在トランジスタの勉強を始めて日も浅く、質問も情報不足や要領を得ないかもしれませんが、どなたかご指導願います。長い質問で申し訳ありませんでした。

  • トランジスタ増幅回路

    トランジスタの増幅回路の学生実験後に 「ひずみがなく,しかも最大に増幅するためには,トランジスタの動作点をどこにとればよいか,静特性曲線測定値から考察せよ」というものがありました。 そこで直流負荷線と交流負荷線から求めるということを書いたのですがこれは一般論的な解答なのでダメ,測定値から動作点をどこに取るか考察せよ。というのです。 教授の話によると,一般に,設計するときにはまず動作点を先に決めてVccの値を決め,直流負荷線などを決定するものだということでした。おそらく,遮断領域,飽和領域も考えないといけないと思いますがそこまでよくわかりません。 どうかヒントでもいいので教えてくれませんでしょうか?