• 締切済み
  • 困ってます

ベースバイアス電流の可変について

添付した写真はハイポーラトランジスタのエミッタ接地増幅回路を示した回路図です。この回路図の左端にある抵抗Rvを調整することで、ベースバイアス電流IBを可変できますが、それができる原理が分かりません。教えてください。

共感・応援の気持ちを伝えよう!

  • 回答数2
  • 閲覧数453
  • ありがとう数0

みんなの回答

  • 回答No.2
  • teppou
  • ベストアンサー率46% (356/766)

 基本的な考え方は、R1-Rv-R2 で、電源電圧を分割していますので、ボリュームを回すと、接点端子(ベース回路)の電圧が変化します。  すると、ベースにかかる電圧が変化し、電流も変化します。  しかし、Rv-R3-ベース-エミッタ-RE(SW3はOFFとします。)と、Rv-R2 は、並列になっていますので、ボリュームを回してベース電流を増やすと、R3側の電流が減少しRvの電位が低くなり、ベース電流は、あまり増えないと言うことになりがちです。  ボリュームを回しても、R2の電流の変化量が小さくなるように、R1,R1 は R3,RE に比べて、ひとけたほど小さくするのが普通です。  

共感・感謝の気持ちを伝えよう!

関連するQ&A

  • 固定バイアスと自己バイアスについて

    NPN型のバイポーラトランジスタを使って固定バイアスのエミッタ接地増幅回路と 自己バイアスのエミッタ接地増幅回路を設計して、それぞれ入力信号の電圧を 大きくしていくと固定バイアス、自己バイアスともに出力波形が歪むのですが、 歪みが発生する電圧が固定バイアスの時よりも自己バイアスの時のほうが 高いのには何か理由があるのでしょうか?

  • バイアス点について

    エミッタ接地増幅回路の実験を行ったのですが、バイアス点が理論値と少し違う値になってしまいました。この理由についてわかる方よろしくお願いします。

  • トランジスタの電流帰還バイアス回路の増幅度

    以降に出てくる増幅回路は、小信号電圧増幅で低周波を扱い、エミッタ接地回路のA級増幅です。 バイポーラトランジスタで固定バイアス増幅回路を作成し、入力と出力を実測したら増幅度は約184でした。回路は以下の感じです。 +-----*------------Vcc | | R1 RL | | | *------------Vout | | + | C Vin----C--*-----B NPNトランジスタ 10μF | E | | | | o-------*-----*------------o (hfe×RL)/hieの式で理論値が求まるので、hパラメータのグラフから補正値を読み、hfeとhieにその補正値を掛けて計算したところ増幅度は約180でした。約2%の誤差でした。 今度は、固定バイアス増幅回路で使用したトランジスタを今度は電流帰還バイアス増幅回路で使用し、増幅度を上げるためエミッタ側の抵抗と並列に、スイッチと共に1000μFのアルミ電解コンデンサを付けました。回路は以下の感じです。 +-----*------------Vcc | | R1 RL | | | *------------Vout | | + | C Vin----C--*-----B NPNトランジスタ 10μF | E | | SW | *-----o o--* | | |+ R2 Re C 1000μF | | | o-------*-----*------------o 入力と出力を実測したら増幅度は約200でした。前述の固定バイアスと同じように理論値を計算したところ、増幅度は約260でした。かなりの誤差でした。 抵抗RLの10%誤差、hパラメータのグラフの読み取り誤差を考慮して再計算しましたが、実測増幅度の200には程遠い値しか出ません(250とか...)。 なぜ固定バイアス増幅回路で使用したトランジスタを電流帰還バイアス増幅回路に使用するとこれほどまでに誤差が大きくなるのでしょうか。 回路上で他に見落としがあるのでしょうか。それとも、もともと電流帰還増幅回路はこういうものなのでしょうか。 現在トランジスタの勉強を始めて日も浅く、質問も情報不足や要領を得ないかもしれませんが、どなたかご指導願います。長い質問で申し訳ありませんでした。

  • 回答No.1
  • QCD2001
  • ベストアンサー率59% (247/415)

これは、電流帰還バイアス回路です。下記のサイトをご参照ください。 http://www.nteku.com/toransistor/transistor-zoufukukairo.aspx

共感・感謝の気持ちを伝えよう!

関連するQ&A

  • 定電圧、定電流回路

    NPNトランジスタを使い、電力増幅器を作ろうと思っています。 エミッタ接地でエミッタ-GND間には抵抗等何も入れません。 バイアス回路として定電圧、定電流回路を入れ、トランジスタのコレクタ電圧とコレクタ電流を一定にしたいと考えています。 (例えばトランジスタのhfeがばらついても2V、10mAとなるように) なるべく簡単に構成できる定電圧かつ定電流回路をご教授願います。 (トランジスタひとつと抵抗数個とかで構成できるのが理想です) 大元のDC電圧はボルテージレギュレータを使うため一定とお考えください。 以上、宜しくお願い致します。

  • OPアンプのバイアス電流について

    OPアンプのバイアス電流について バイポーラトランジスタ型のOPアンプの入力電流(差動増幅回路のベースバイアス電流)は、 高温になるほど減少すると書籍に書いてありました。 これはなぜでしょうか? 高温では、差動増幅段のトランジスタのhFEが大きくなったりするからでしょうか?

  • トランジスタの増幅回路について

    トランジスタのエミッタ接地増幅回路が反転増幅器となる理由はなんですか?教えてください。

  • 電流の増幅に関して

    こんにちは 入力部分の微弱電流(5mA程)を増幅させたいのですが(200mA程まで)、色々と調べた所・・トランジスターを使用した増幅回路でその作業を行う事が出来る事は分かりましたが、トランジスターの増幅回路以外で電流を増幅する事が出来る回路は他にありませんか?

  • エミッタ接地増幅回路 コレクタベース間電圧

    エミッタ接地増幅回路について、コレクタベース間はほとんど電流が流れないですが、電圧も発生しないのでしょうか。 まったくわからなくて困っています。ご回答よろしくお願いします。

  • オーディオアンプを自作している初心者です。

    オーディオアンプを自作している初心者です。 乾電池など低い電圧でMP3やCDプレイヤーを動作するアンプを作ろうとしています。 目標増幅度は約20倍で9Vで動かそうとしています。回路は単純なエミッタ接地(電流帰還バイアス回路)とエミッタ・フォロワ回路のトランジスタ2石です。 作るにあたっていくつか疑問点が出たので質問させていただきます。 ・参考書などにはエミッタ接地のバイアス回路にはベース電流より十分大きな電流を流せるように設計す るとあるんですがなぜでしょうか? ・おなじく参考書にはエミッタ電位を2Vとしていますがなぜでしょうか? ・ステレオにするには回路をもう1つ作ればよいのでしょうか? あとトランジスタ2石でそこそこのアンプができるのか少し不安です。なにかもっとこうした方がいい等教えていただければ光栄です。 わかりずらいかもおしれませんがよろしくお願いします。

  • コレクタ電流の計算公式の導出方法について

     書物に計算結果は掲載されていたのですが、導出方法が分かりません。教えていただければ幸いです。  題名としては、「代表的な低周波増幅回路」という内容で、計算結果は、「Ic=((R2/(R1+R2)-Ec-Vbe+(Re+(R1R2/(R1+R2))Icbo))/(Re+(R1R2/((R1+R2)(1+Hfe))))」となっていました。  回路図は、コンデンサや入出力のトランス結合などが省略された回路図で、PNPトランジスタのエミッタがグランドに接地されていて、エミッタとグランドの間に抵抗Re。次に、ベースとコレクタの間に抵抗R1。ベースががグランドに接地されていて、ベースとグランドの間に抵抗R2。そして、最後に、コレクタがグランドに接地されていて、コレクタとグランドの間に直流電源Ec。そして、その電源の接続方向は、グランド側に向かって電流が流れる方向です。エミッタ電流はIe。ベース電流はIb。コレクタ電流はIc。ベース・エミッタ間の電圧は、Vbe。ベースからコレクタにトランジスタを通して流れる電流をIcbo。と表記していました。  現在、ソフトウェア技術者なのですが、ハードについても今週から勉強し始めました。上記の数式も入門書にのっていたものなので、本当はカンタンなのでしょうけれど。。。頑張っています。お願いします。

  • エミッタ接地型トランジスタ増幅回路

    添付図のようなエミッタ接地型トランジスタ増幅回路において、コンデンサC3とC4はどのような働きをするのでしょうか?

  • エミッタ接地小信号電圧増幅回路について

    最近、トランジスタの勉強をしているのですが、エミッタ接地小信号電圧増幅回路(反転増幅器)において、低周波発信機により正弦波信号を加えて入出力信号の振幅(電圧)比が何故周波数を上げていくと比率が上がり一定になっていくのかわかりません。また、エミッタ側のコンデンサ容量を変えるとどうなるんでしょうか。 もしよろしければ出来るだけ詳しく教えてください。 http://www.geocities.jp/blabbw/kairo.JPG ↑回路図です。

  • 高周波回路のエミッタ帰還抵抗について

    現在、マイクロ波の回路設計について勉強しています。 高い周波数の増幅回路では、エミッタ帰還抵抗を外して直接 GND に接地している場合が多いようですが、これは何故でしょうか? 低周波回路のイメージで考えると、直接接地することで、バイアスが不安定になるのではないでしょうか? このメリットを失ってまで直接接地する理由を教えて頂けないでしょうか?