エネルギーが高い異性体低い異性体の立体配座の書き方

質問

画像の（シス・トランス）１．２ジメチルシクロヘキサンのイス形の

「ポテンシャルエネルギーが高い異性体と低い異性体を立体配座がわかるように書きなさい」

という問題なのですが、何をどう書けばよいかがわかりません。

反転構造を書けばよいということでしょうか？ それとも画像の図のメチル基の位置だけ変えた構造を書けばよいということでしょうか？

よろしくお願いします

回答No.1

phosphole · ベストアンサー

エネルギーが高いということは、不安定な構造の異性体を描け、ということです。
既に習われていると思いますが、シクロヘキサンの場合、置換基（問題ではメチル基）が環の上下（アキシャル位）に突き出した構造は、1,3-位のアキシャル位の置換基（または水素）とジアキシャル反発を生じるため不安定です。
ですので、1,2-シスと1,2-トランスのジメチルシクロヘキサンの可能な配座を描いてみて、アキシャルにメチル基が位置するものが多いと不安定になると考えられます。

お礼

よくわかりました。ありがとうございました。