• ベストアンサー

トランジスタ:再結合電流とは?

 トランジスタ(参考:NPNバイポーラ;ベース接地)について勉強しております。  再結合電流という言葉が出てきました。例えば空乏層内再結合電流、エミッタ-ベース端の再結合電流などです。電子とホールが再結合すると、電流は流れないと思うのですがいかがでしょうか?宜しくお願い致します。

  • e-l
  • お礼率45% (158/349)

質問者が選んだベストアンサー

  • ベストアンサー
  • foobar
  • ベストアンサー率44% (1423/3185)
回答No.1

大雑把にですが、 1. 電子とホールが再結合すると、そこで電荷やホールは消滅します。 2. 消えた電子やホールを穴埋めするために、背後から次の電子やホールが流れて来ます。 3. 流れて来た電子やホールが再結合して消えます。 という具合に、再結合で電子やホールが消滅するので、その周辺で電子やホールの流れができて電流が流れます。 もし、再結合が無ければ、電子やホールが溜って、流れを阻止する電界が発生し、適当にバランスしたところで流れが止まって、電流が止まります。

e-l
質問者

お礼

有難う御座います。大変よくわかりました。

関連するQ&A

  • トランジスタにおける耐圧とはなにでしょうか?

    トランジスタにおける耐圧とは何をさすのでしょうか? 参考:NPNエミッタ接地についてこんな記述がありました。 「ベースガンメル数を小さくすると・・・ コレクタ端からベース領域に広がる空乏層が増加し耐圧が減少する」

  • トランジスタの特性について

    NPN型トランジスタについての質問ですが、トランジスタは増幅作用というのを持っていますが、 これはベースに流れる電流とコレクタ・エミッタ間に流れる電流がトランジスタの内部で 合わさる(合流するため)増幅したように感じるのでしょうか? それから、ベースとエミッタ間にかかる電圧は一定で0.7Vくらい?らしいですが、 それはなぜでしょうか? 最後に、コレクタ・エミッタ間にかかる電圧をあげることによって、電流も多く流れますが、 エミッタ接地電流増幅率も大きくなります。 これはなぜでしょうか? ちなみに、これはコレクタ・エミッタ間にかかる電圧をどんどん上げていって、 ある値を越えてからは電流増幅率は一定の値に収束するのでしょうか?

  • トランジスタのことで

    トランジスタの静特性の測定の実験をやったんですが、考察を書くうえでわからないことがでてきました。 ひとつは今回の実験はNPN形のトランジスタを使い、ベース接地回路とエミッタ接地回路について行ったんですが、コレクタ接地回路はやりませんでした。なぜコレクタ接地回路はやらなかったか? もうひとつは、ベース接地回路において出力したときコレクタ電圧が0Vなのにコレクタ電流に電流が流れるのはなぜ?またコレクタ電流が0Aになる条件は? というものです。 よろしくおねがいします。

  • バイポーラトランジスタの動作原理、不純濃度について

    バイポーラトランジスタの動作原理、不純濃度について バイポーラトランジスタの勉強をしていてなんとなく動作原理は分かったつもりでいるのですが所々正しいか不安な点があるので添削をしていただけないでしょうか? npn型のバイポーラトランジスタで考えます。 ~~~~~~~自分の考える動作原理~~~~~~~ エミッタ側に順、コレクタ側に逆方向電圧をかける。 エミッタ側の順方向電圧によりエミッタ中の多数キャリアの電子がベース領域へ移動、この際一部の電子はベース領域の多数キャリアである正孔と結合、また別の一部はベース電流となるが、コレクタ側の逆方向電圧により大部分の電子はコレクタ領域へ流れ込む。 そしてコレクタ領域に流れ込んだ電子はコレクタ領域の多数キャリアの電子と一緒にコレクタ電流となる。 ~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~ また半導体の不純濃度がNe>Nb>Nc(エミッタ、ベース、コレクタの順に不純濃度が高くなる)という順序らしいのですがその理由がいまいち分からないので解説の方をお願いいただけたらと思います。 ~~~~~~~自分が考えた理由~~~~~~~~~ Ne>Nbはエミッタの不純濃度がベースより高いとベース領域に流れ込んだ電子が多く再結合してしまうため。 Ncが最後になるのは不純濃度が低くても再結合などで電子が失われることがないので ~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~ よろしくお願いいたします。

  • NPN形トランジスタのコレクタに1mAの電流を流したい。この場合ベース

    NPN形トランジスタのコレクタに1mAの電流を流したい。この場合ベース抵抗Rの値をいくらにすればよいか?ただし、ベース接地電流増幅率αは0.95、ベース-エミッタ間電圧Vbeは0とする。 自分で出した答えは250オームになりました。 ぜひ教えてください。

  • トランジスタにイライラしてます。

    お世話になります。仕事で電気関連の知識が必要になり、勉強を始めたのですが行き詰まっています。 実は大学で電気科だったのですが、当時挫折したところと同じとこで行き詰まり、参考書を破り捨てそうなくらいイライラきてます… 問題はトランジスタ(NPN)の動作についてです。 (1)コレクタに電圧をかけると、エミッタの電子がベースに流れ込み、ベースの正孔と飽和した所で電子の移動が止まる。 【とありますが、なぜ空房層を越えてエミッタからコレクタ電圧は電子を引っ張れないのでしょうか。電子は正孔の有無に関わらず正電界に引かれるのではないのでしょうか。】 (2)コレクタの電子もコレクタ電圧に引かれるが、コレクタの正孔と結合しきった時点で止まる。 【コレクタの正孔とはどういうことなのでしょうか。トランジスタに接続されている導線は半導体ではないと思いますので、正孔が余っているということはないと思のですが。】 (3)ベースに電圧をかけると、ベースに正孔が流れ、エミッタの電子がベースに向かう。 【正孔が供給される意味がわかりません。もしベース電圧から正孔が供給されるのであれば、コレクタに電圧をかけた時点でコレクタに正孔が供給され、コレクタ電流が得られ続けるのではないでしょうか。 電子と正孔が結びつくと消えるとすれば、半導体でない普通の導体でもすぐに電流が流れなくなってしまうのではないのでしょうか。】 (4)エミッタからベースに向かった電子で、ベースの正孔と結びつかなかったものは、コレクタに引っ張られる。 【なぜコレクタ電圧で引けなかった電子がベース電圧で引けるのでしょうか。】 番号は参考書、【】内が私の消化不良です。 お詳しい方いらっしゃいましたら、ご助言いただけますとありがたいです。 よろしくお願いします。

  • 電子素子工学の質問なんですが

    バイポーラ・トランジスタのベース・エミッタ間」の電流特性は例えば、Ib<<Icのnpn型だとしたら、ベースとエミッタとの繋がりはダイオードと同じ(pn結合)となりVbe=約0.6V一定でIbとIeの特性グラフが書けると思います。(合っているのかどうか分かりませんが。。。) しかしMOS型のFETのゲート・ソース間のはpn結合でもないし、どういった電流特性が成り立つのかよくわからなかったので教えてください。 よろしくお願いします<m(__)m>

  • トランジスタのスイッチ作用に関して

    トランジスタのスイッチ作用について教えてください PNPトランジスタではベース-エミッタ間にわずかな電流を流すとコレクタ-エミッタ間に大きな電流がながれる。 B-E間に電流を流すことでC-E間の抵抗が小さくなり大きな電流が流れ、いわゆるスイッチの作用で用いられていると思うんですが、NPNトランジスタではどうなるんですか?

  • バイポーラトランジスタ中の少数キャリア

    NPN型のバイポーラトランジスタがあり、ベース接地で 動作させるとします。このとき、ベース層幅を Wb、ベース層中の少数キャリア拡散長をLnとしたとき Wb<<Lnとして、再結合を無視するという前提で 式計算を行ったりしますが、逆にWb>>Lnだとすると どうなってしまうのでしょうか。 トランジスタにならないというのは教わったのですが、理由が いまいち分かりません。 よろしくお願いします。

  • トランジスタ

    1.NPN型トランジスタでエミッタ接地の場合の増幅作用の原理について 2.コレクタ電流が飽和値に到達しない理由について 3.トランジスタの動作点ゎどこにとったらよいか。 と質問3つで多いですがどれか一つでも解答して頂けたら助かります。 ちなみに使用したトランジスタゎ2S950です。 解答よろしくお願いします。