電子素子工学の質問なんですが

質問

バイポーラ・トランジスタのベース・エミッタ間」の電流特性は例えば、Iｂ＜＜Iｃのnpn型だとしたら、ベースとエミッタとの繋がりはダイオードと同じ（ｐｎ結合）となりVbe＝約０．６V一定でIｂとIeの特性グラフが書けると思います。（合っているのかどうか分かりませんが。。。）
しかしMOS型のFETのゲート・ソース間のはｐｎ結合でもないし、どういった電流特性が成り立つのかよくわからなかったので教えてください。
よろしくお願いします<m(__)m>

回答No.2

se223

バイポーラは温度依存などありますが合っています。MOSFETは絶縁層があり直流的には電流は流れないのですが、ゲート容量が存在します。1000PF以上のものもあり、この容量を充放電して制御する必要があります。

回答No.1

fjnobu

ＭＯＳ　ＦＥＴのゲートはソースと電圧結合です。真空管と同じです。
ソースには電流は流れません。
だから、電流増幅率や電流特性は有りません。
電圧・電流特性になります。