電子回路のトランジスタによる増幅がわかりません。
電子回路のバイアス点の設定の仕方などがわかりません。また、直流成分、交流成分で分けて重ね合わせの定理で解く方法もイマイチわかっていません。交流成分の見分け方がわかりません。
問題文、回路図に関しましては、画像を添付させて頂いています。質問内容は、(iii)の(b)(c)(d)の問題がわからないため、解答、導出過程をお願いいたします。
条件:ωo=1/√(C1L1) です。
回路図に関して見えにくい場合こちらで確認していただければ幸いです。
https://okwave.jp/qa/q9519791.html
問題文に関しまして、
図1に示すバイポーラトランジスタのA級増幅回路について、以下の設問に答えよ。増幅回路の電源電圧をVcc、トランジスタのコレクタ・エミッタ間電圧をvce、コレクタ電流をicとする。トランジスタは活性領域にあり、vce>=0かつic>=0である。トランジスタのベース電流は無視してよい。
C1//R1//L1の回路を同調回路といい、共振各周波数をωoとする。
(iii)図1に示す回路について、トランジスタのバイアス点を設定したい。図1のように入力vi(t)およびvo(t)をとる。vi(t)=Vicos(ωot)に対して、vo(t)=Vcc-Vocos(ωot)が出力される時、以下の問に答えよ。ただし、ωoC2R2>>1, ωoC3{R3R4/(R3+R4)}>>1とする。
(a)Vccを用いて、ベース電圧Vbを求めよ。
(b)Vccを用いて、Vo(>0)が取りうる最大値Vmaxを表せ。
(c)Vo=VmaxとなるようにVceおよび、Icを設定した。このとき、(Vce,Ic)とトランジスタのバイアス点(Vceq,Icq)とする。Vccを用いて(Vceq,Icq)を表せ。
＊直流成分では、Vce=Vcc-R2Icの関係を満たしていると思います。
(d)ベース・エミッタ間直流電圧をVbeとする。Vbe=0.6V、Vcc=12Vのときバイアス点(Vceq,Icq)を実現するための抵抗・比R3:R4を求めよ。
現在、非常に困っています。お忙しいとは思いますが、どうか宜しくお願いいたします。
問題文、回路図に関して、見えにくい場合上記のURLもしくは下記のURLを利用していただけると幸いです。
https://detail.chiebukuro.yahoo.co.jp/qa/question_detail/q11193428861
補足
すいません。 もう一度投稿するので、そちらのほうに回答をお願いしたい次第です。