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電子回路(VDEって？)
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間違いなく「ＶBE」です。 ＶcとGND間を抵抗で分割し，ベースバイアスをかけた一般的なトランジスタ回路を想定します。 エミッターGND間にはＲEが入っているものとします。 「何らかの原因でICが上昇したとき・・・」の”原因”に「温度が上昇したとき・・・」を想定します。 この回路には一定のバイアス電圧ＶBEがかかっているため，これによりＩB1が流れ，そのｈFE倍の電流 ＩC1が流れています。 （数字は温度が上がる前の値です） 温度が上がりますとＶBEが一定でも，（半導体の特性により）ＩBが増加しＩB2になろうとします。 この結果，ＩCが増加しＩC2になろうとします。 ＩC2が増えるとＶEが増加するので，ＶBEは小さくなろうとします。 ＶBEが小さくなると，ＩBが小さくなるので，ＩCも小さくなります。 このようにして，ＩCの変動が抑えられます。 すなわち安定度がよくなると評価されます。
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- Teleskope
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>> REは ICが上昇したとき Vbe電圧を減少させて ICを減少させる→安定度良 << ┌──┬─Vcc R1 RL ｜ ｜ ↓Ic ｜ C┘ ├─B │ E.┐ R２ RE │ │ ┷ ┷ 安定度 = ∂Ic/∂変動要因 の学習ですね、Icの変動要因はコレクタ遮断電流 Icbo の温度変動です。 等価回路を hfe>>1 で解くと、 ∂Ic/∂Icbo = hfe(RE+R1//R2)/(hfeRE+R1//R2) です。 REがゼロなら 上式＝hfe 、REがある程度大きければ 上式≒１です。つまり、 hfe倍に拡大されるものが1倍で済んだ。→安定がよくなった。 です。 Icが増すと、増した分の電流×RE という電圧が余計に発生する。もしベース側の電位があまり動かなければ、 両者の間に居るB-Eにかかる電圧が減る、 電圧が減るから電流も減り、余計に増えた分はそれで相殺される。
＞そうなんですか！ ノート写し間違えたんでしょうか…。 授業内容はきちんと理解してくださいね。 ただノートに写すだけでは、全く意味がありません。 とくに工学系はね。 今回の場合であれば、他の方が回答しているように、Ｖｂｅでしょう。 読み方は、まず一文字目のＶは電圧を示す。 続くｂとｅはベースとエミッタを表す。 これによって、ベース－エミッタ間電圧であると判断できるわけ。 問題の回路で、Ｄの頭文字に相当する部分がありますか？ ないでしょ？ もう一度言いますけど、授業内容はきちんと理解してくださいね。
それって、RE: Re エミッタに接続している抵抗、 IC : Ic コレクタ電流、 VDE : Vbe ベースエミッタ間電圧 の事ではないかなぁ？？？？ きっときちんと回路図があって、その記号に基づいて説明しているような気がしますよ～。 同じ授業を受けた人に確認した方がいいですねぇ。
- AC120V
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VDE ではありません。 VBE ベース・エミッター間電圧です。
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補足
そうなんですか！ ノート写し間違えたんでしょうか…。