- 締切済み
トランジスタの負荷曲線について
- みんなの回答 （1）
- 専門家の回答
みんなの回答
- xpopo
- ベストアンサー率77% (295/379)
具体的に、どこがどのようにずれてたのでしょうか？ 理論式ではこうだけど、実際はこうなってこのようにずれてしまいました というようにもっと詳しく書かないと、回答しようがありません。 グラフも添付されたほうがいいですよ。 それから、使用されたトランジスタのカーブはご自分で実測された ものですか？それともメーカのデータシートのグラフでしょうか？
関連するQ&A
- トランジスタの負荷曲線に関して
トランジスタの負荷曲線に関して質問なのですが、 横軸にコレクタ・エミッタ間の電圧Vceを、縦軸にコレクタ電流Icのグラフにプロットをすると、 理論式から求められるグラフよりずれてしまいました。 このずれの原因はなんでしょうか。 上の直線が理論式から求められるグラフ、下の直線が実験で得たグラフです。 よろしくお願いします。
- ベストアンサー
- 物理学
- トランジスタのIcは何故電圧が下がるのか
トランジスタのエミッタ設置回路で、 ICが増加すれば、負荷抵抗中の電圧ドロップが大きくなるので、コレクタ電圧(VCE)は小さくなります。 ICが減少すれば、コレクタ電圧(VCE)は大きくなります。 と解説書にあります。 逆に電流ICが流れるほど、V=IRより電圧は大きくなるのではと思っています。 このような、思考で考えているのですが、何故コレクタ電圧は小さくまたは、大きくなるのでしょうか。 回答お願いいたします。
- ベストアンサー
- 物理学
- hfe-Ic特性について
基礎的な話で申し訳ないのですが、 エミッタ接地のNPNトランジスタにおけるVce一定の場合 縦軸hfe－横軸Icでグラフを書くと、Icの増加に伴ってhfeが下がるのはなぜですか？ できれば理論的に詳しく教えて下さい。
- ベストアンサー
- オーディオ
- トランジスタのスイッチング作用（その２）
トランジスタのスイッチング作用について質問があります。 前回と似た質問で恐縮です。 *------------Vcc(12V) | RL | *------------Vout | C (0～5V)Vin-----R------B NPNトランジスタ E | | o-------------*------------o 上図の回路で正の入力電圧を印加し、NPNトランジスタを飽和させてスイッチングさせます。正の入力電圧を印加しているときは、トランジスタがONし、コレクタからエミッタへ電流が流れます。また、ONしているので、入力の位相が反転して出力に現れます。 ON時のコレクタ・エミッタ間電圧VCE(sat)が0.4Vとすると、コレクタの電位は0.4Vになります。 ここで質問です。 トランジスタがスイッチONの時、VBEは0.7V（動作時のVBEはおおよそこの電圧で考えるようですね。）、VCEは0.4Vとなると、コレクタ（電圧低い）、ベース（電圧高い）という関係になります。電流は電圧が低いところから高いところへは流れません。ということはコレクタからベースには電流は流れないことになります。ベースに電流が流れなければエミッタへも流れません。しかし、現実にはコレクタ→エミッタで流れます。これはどう考えたらよいのでしょうか。理由がわかりません。 入門書ではエミッタからベースに自由電子が流れて、大半がベースを突き抜けてコレクタへ移動するためコレクタからエミッタに電流が流れるとあります。これは理解できます。ただし質問の場合は、コレクタ（電圧低い）、ベース（電圧高い）という関係は無視されて、電圧が低いところから高いところへ流れるという現象になるのでしょうか。 「同じような質問して！」と思われるかもしれません。恥ずかしい限りですがホームページでも書籍でもズバリの理由が探し出せません。よろしくお願いします。
- ベストアンサー
- 電子部品・基板部品
- ダイオードの電流電圧特性
npn型バイポーラトランジスタの電圧、電流特性を測定したのですが コレクタ電流-コレクタ・エミッタ電圧のグラフを書くと Vceが0.6V位の時までIcはほぼ一定(4.20mA～3.84mA)で これ以降はVceが0に近づくにつれIcの値が下がっていくはずなのですが Vce＝0.2Vの時にIce＝3.34mAだった後にVceが0.3、0.4Vの間にIcが それぞれ3.5mA、3.6mAと上昇してその後急激に 下がっていきました。 何回測定してもこうなるのですが これはどうしてなのでしょうか？
- ベストアンサー
- その他（学問・教育）
- トランジスターのコレクタ損失について
トランジスターのコレクタ損失について トランジスターのコレクタ損失の計算方法は、コレクタ電流×Vce電圧ですか？ たとえば、2SC1815は、コレクタ電流150mA、損失400mWですが、V=12V Vce=0.6V、Ic=150mAなら、損失は0.6*0.15=0.09W=90mWということですか？
- 締切済み
- 科学
- トランジスタのスイッチング作用
最近トランジスタの勉強をしていますが、トランジスタのスイッチング作用について質問があります。 *------------Vcc(12V) | RL | *------------Vout | C (0～5V)Vin-----R-------B NPNトランジスタ E | | o-------------*------------o 上図の回路で正の入力電圧を印加し、NPNトランジスタを飽和させてスイッチングさせます。正の入力電圧を印加しているときは、トランジスタがONし、コレクタからエミッタへ電流が流れます。また、ONしているので、入力の位相が反転して出力に現れます。ON時のコレクタ・エミッタ間電圧VCE(sat)が0.4Vとすると、コレクタの電位は0.4Vになります。 ここで質問です。 トランジスタがスイッチONの時、VBEは0.7V（動作時のVBEはおおよそこの電圧で考えるようですね。）、VCEは0.4Vとなると、コレクタよりもベース側が電位が高いことになります。コレクタから見てコレクタ→ベースはダイオードに順方向電圧がかかった状態と考えられます。 となると、ベースからコレクタに電流が流れそうですが、実際は逆にコレクタからベースを通してエミッタに流れます。ベースからコレクタに電流が流れないのはコレクタ・ベース間に0.7V程度以上の順方向電圧がかからないためなのでしょうか（コレクタ・ベース間はダイオードのようになるので）。 もしそうであるとすると、コレクタ・ベース間に0.7V程度以上の順方向電圧がかかった場合はベースからコレクタに電流が流れてしまうのでしょうか。 NPNトランジスタの2SC1815のデータシートではコレクタ･エミッタ間飽和電圧 VCE (sat) はtyp=0.1V MAX=0.25Vです。また、ベース･エミッタ間飽和電圧 VBE (sat) はMAX=1.0 Vです。VCE (sat)が0.1VでVBE (sat)が1.0V（MAX)だと0.9Vの差となるので、コレクタ・ベース間に0.7V程度以上の順方向電圧がかかることになり、ベースからコレクタに電流が流れそうです。 実際はこのような状況にならないのでしょうか。 素朴な疑問ですがトランジスタのスイッチング動作時にベースからコレクタに電流が流れない理由がわかりません。 ご教授よろしくお願いいたします。
- ベストアンサー
- 電子部品・基板部品
- バイポーラトランジスタの小信号等価回路
アナログ電子回路を独学で学んでいる者です。 最初に写真(ii)のバイポーラトランジスタのエミッタ接地回路についてです。ベースーエミッタ間電圧Vbeを大きく変化させていくと、ある点で"コレクタ電流Icが流れすぎて、出力電圧Voが"接地電位でクランプ(固定)される"とあり、確かにグラフからそのように見てとれます。これは一体何が起こったのでしょうか？VoはVo=Vcc-Ic*RLで表され、トランジスタのコレクターエミッタ間電圧に等しいと考えています。これがゼロになるという事は、トランジスタ内での電圧降下がゼロになるという事でしょうか？ 次に写真(i)の同じくエミッタ接地回路についてです。 この回路の各部分にあるコンデンサはどういった役割があるのでしょうか。教科書には"直流バイアス点に信号を入出力するため"とありますが、仮にコンデンサがない場合、信号を入出力できないのでしょうか？特に出力端子側についているC2のコンデンサが気になります。 次に小信号等価回路についてです。 なぜこのような回路に変換できるのか、一通り教科書を読みましたが、分からない点が多々あります。 写真(iii)の回路は(i)の等価回路で、(iv)の等価回路は、ごく一般的なエミッタ接地回路の等価回路になります。 まず(iii),(iv)どちらの等価回路にも電流源gmVbe'がありますが、これは入力電圧v1によって、Vbeが変化し、このVbeから、ベースが広がり減少した電圧分を差し引いた電圧Vbe'によって生じるコレクタ電流Icの変化分ΔIc'だと考えています。 次に(iv)のroについて、 1/ro=go=∂Ic/∂Vceより、goVceは、コレクターエミッタ間電圧Vceの変化によって生じるコレクタ電流Icの変化分ΔIc''になると考えています。 そして全コレクタ電流の変化分ΔIcは、i2の向きも踏まえて、ΔIc=ΔIc'+ΔIc''=-i2になるのだろうと考えています。 ここで質問ですが、なぜΔIc'分のgm*Vbe'の方は電流源として表され、ΔIc''分のgo*Vceは抵抗roとして表されているのでしょうか？2つとも電流源gmVbe, goVceで表すのは正しくないのでしょうか？ もう1つ質問ですが(iii)の回路では、なぜかroが見当たりません。 (iii)も(iv)も同じ小信号等価回路であるはずなのに、なぜでしょうか？
- ベストアンサー
- 電気・電子工学
- トランジスタの特性について
ＮＰＮ型トランジスタについての質問ですが、トランジスタは増幅作用というのを持っていますが、 これはベースに流れる電流とコレクタ・エミッタ間に流れる電流がトランジスタの内部で 合わさる（合流するため）増幅したように感じるのでしょうか？ それから、ベースとエミッタ間にかかる電圧は一定で０．７Ｖくらい？らしいですが、 それはなぜでしょうか？ 最後に、コレクタ・エミッタ間にかかる電圧をあげることによって、電流も多く流れますが、 エミッタ接地電流増幅率も大きくなります。 これはなぜでしょうか？ ちなみに、これはコレクタ・エミッタ間にかかる電圧をどんどん上げていって、 ある値を越えてからは電流増幅率は一定の値に収束するのでしょうか？
- ベストアンサー
- 物理学
お礼
回答ありがとうございます。 そうですね、グラフを添付すべきでした。 また質問しなおします。