フォトカプラの再選定について教えて下さい。

質問

フォトカプラの再選定方法について、以下の検討に問題が無いか教えて下さい。

現在、マイコンの入力信号のON/OFFを外部スイッチにて行う為に、入力電流制限抵抗1KΩとTLP521フォトカプラを搭載した基板があります。
現状仕様は「基板入力側：12V　3.3mA（下段フォトカプラの影響による）　出力側：5V　10mA」です。
この基板を用いて、「基板入力側：3.3V　出力側：6V　30mA」をON/OFF制御したいと考え、
新たなフォトカプラに受光側許容損失の大きい、ルネサス「PS2533-1」を選定しました。
しかし、これでは入力側許容損失が定格値オーバーしてしまう（最高使用温度50℃）為、基板の入力電流制限抵抗を1.5KΩに変更をしました。
これによって、マイコン入力信号の制御の場合は　IF＝8mA PD＝96mWとなり、CTRは最低1500％より66mAとなるので十分な制御ができます。
また、新たな制御の為には、IF＝2.2mA　PD＝7.3mW　CTRは最低1500％より33mAとなり、仕様を満たします。
以上の変更の中で、他に懸念すべき点や考えが間違っている点はありますでしょうか？
また、このフォトカプラを使用した際にはコレクタ飽和電圧は最大１Vになりますが、
この電圧降下を嫌う場合には、フォトリレーTLP220Aを用いた方が適切でしょうか？

ご意見頂けますよう、よろしくお願いします。

回答No.1

se223

回答が無かったので回答してみました。
前半の入力側、出力側というのが良くわかりません。ＣＴＲという言葉も使いません。私だけでしょうかこのＣＴＲの意味がわからず回答者が出ないのかな？と思っていました。

コレクタ飽和電圧が１Ｖとのことですが、トランジスタ側がダーリントン構成になっていますのでそうなります。
フォトリレー（ＰＨＯＴＯＭＯＳリレー）は確かに１ＶなんかはありませんがこれはＯＮ抵抗２Ωになっています。
電流を流せば端子間電圧も上がって来ます。耐圧の高いＦＥＴはＯＮ抵抗が高いです。

ところでここまで計算されるのは、人命か何か重要なものを扱われる回路でしょうか？
許容損失オーバーを気にされるのならフォトカプラだけでＯＮ／ＯＦＦを考えないで、その後に制御回路を付けたらいかがでしょうか？

質問を理解してないようであればすみません。