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シリコンの製法について質問
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多結晶シリコン型 結晶の粒径が数mm程度の多結晶シリコンを利用した太陽電池。他のシリコン半導体素子の製造過程で生じた端材やオフグレード品のシリコン原料を利用して製造できる。単結晶シリコンに比べると面積あたりの出力（変換効率）は落ちるが、生産に必要なエネルギーは少なく、エネルギー収支やEPT、GEG排出量の面では単結晶シリコンより優れる。コストと性能のバランスの良さから、現在の主流となっている。近年はウエハを薄型化するコスト削減技術の競争が進んでおり、2004年の300μm厚から、2010年には150μm厚に半減すると予想されている[11]。また、ガラス上に非常に薄い多結晶シリコン太陽電池を形成する、CSG（またはSOG)技術の普及も有望視されている[12]。化学気相成長により成膜するため生産過程でSiH4、NH3、H2などのガスを使用する。 微結晶シリコン型 微細な結晶で構成された薄膜をCVD法などにて製膜するものである。多結晶型の1種と見なせるが、製膜条件によってはアモルファス的な性質も併せ持つ。μc-Si などと略記される。比較的新しい技術で、インゴットを切断する手間が省け、資源の使用量も削減できるほか、製法によっては200℃程度の低温での製膜が可能で基板を選ばない、などの特長がある。今後、広範囲な応用が期待されている[13]。化学気相成長により成膜するため生産過程でSiH4、PH3、B2H6，GeH4、H2などの気体を使用する。 http://ja.wikipedia.org/wiki/%E5%A4%AA%E9%99%BD%E9%9B%BB%E6%B1%A0#.E3.82.B7.E3.83.AA.E3.82.B3.E3.83.B3.E8.86.9C.E3.81.AE.E6.A7.8B.E9.80.A0.E3.81.AB.E3.82.88.E3.82.8B.E5.88.86.E9.A1.9E
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