半導体の熱酸化プロセスに関しての問題

質問

半導体の熱酸化プロセスの問題教えてください。
（問）熱酸化に対する酸化係数B（x^2≒Bt）は１０００℃で、ウェット酸化の場合はB=0.287（μｍ2／ｈ）、ドライ酸化の場合はB=０．０１１７（μｍ2／ｈ）である。
１．1000℃で、厚さ１μｍの酸化膜をウェット酸化及びドライ酸化で形成した場合、どれだけ時間がかかるか。
２．1000℃で、1時間、ウェット酸化を行った場合、成長する酸化膜厚はどれだけか。またドライ酸化ではどうか。

この2問お手数ですが、お答えください。よろしくお願いします。

回答No.1

sanori

こんにちは。
専門用語があるので難しく感じて面食らうでしょうが、文章の意味がわかれば、中学レベルの方程式です。
おそらく、ドライ酸化よりウェット酸化のほうが速いということを学生さんにしっかり覚えてもらうための練習問題だと思います。
時刻の単位がｈ、膜厚の単位がμｍで統一されているので、超簡単です。

ｘ^2　＝　Ｂｔ　なので、

１．
ｘ＝１　を代入
ウェット　１^2　＝　０．２８７ｔ
ドライ　　１^2　＝　０．０１１７ｔ

２．
ｔ＝１　を代入
ウェット　ｘ^2　＝　０．２８７×１
ドライ　　ｘ^2　＝　０．０１１７×１