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MOSFETについて
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- inara1
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半導体物理に基づいた説明が必要でしょうか。 一般にMOSFETが熱暴走しにくいと言われているのは、考URLの27ページの図34にあるように、ドレイン電流がある程度大きいところでは、ゲート-ソース間電圧（Vgs）を一定に保持したときのドレイン電流（Id）が、温度が高いほど小さくなるからです（ドレイン電流が負の温度係数を持つ）。 ドレイン-ソース間電圧（Vds）がある程度大きい場合、負荷抵抗が下がるなどの原因でドレイン電流 Id が大きくなったとき、MOSFETの温度が高くなります（発熱量=Vds×Id）。温度が上がるとドレイン電流が下がるので発熱量は減ります。発熱量が減ると温度が下がるのでドレイン電流が上がります。そして最終的にあるドレイン電流で落ち着きます。
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