量子井戸構造でのキャリア密度分布・電流密度分布

質問

半導体の量子井戸構造において定量的にキャリア密度分布・電流密度分布を評価したいのですが、どのようにして計算すればよいのでしょうか。

バンドギャップの大きな材料p・n型でバンドギャップの小さな材料で挟んだ場合、順方向に電圧をかけると、閉じ込め効果によりバンドギャップの小さな部分に電子・正孔が蓄積されるということですが、そのときの電子・正孔の密度の分布、電流密度分布はどうやって出すのでしょうか。ただのpn接合までならわかるのですが、活性層が入ることによってどう考えればいいのかわからなくなってしまいます。

大体の流れを教えていただけないでしょうか？

またよかったらそのようなことに詳しい本など紹介してもらえないでしょうか？

よろしくお願いします

回答No.1

gandhi- · ベストアンサー

これは理論的に式で表したいということでしょうか？

私はこの手の系を真面目に計算したことがないので知らないだけなのかもしれませんが、
式を導出するのは相当難しいものと思います。
計算結果はバンドオフセット量によって大きく変わってきそうですし。

シミュレーションが使えるのであれば、そっちの計算に頼るのが一番かと思います。

回答にならなくて申し訳ありません。

お礼

いえいえありがとうございます。

やはり難しそうですか。