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抵抗率から半導体中のアクセプタ濃度の求め方?
抵抗率から半導体中のアクセプタ濃度の求め方を教えてください。 問題はp型のSiの抵抗率は0.05[Ω・m]。 どなたでも良いので、求め方のほうを 教えてください。
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p形半導体では通常、(アクセプタ濃度N_D)≫(真性半導体の電子濃度n_i)となるので、近似的にp形の熱平衡状態での正孔濃度p_p0=N_Dと考えてよい。そして、Siの室温における高純度の結晶の正孔移動度μ_h=500cm^2/V・s及び qp_p0μ_h=1/ρ の関係からρ=5.0Ω・cmを代入して N_D=p_p0=1/(ρqμ_h)=1/{5.0×1.6×10^(-19)×500} =2.5×10^15 cm^(-3)
補足
大変ありがとうございました。 ところで 2.5×10^15 [cm^(-3)]と2.5×10^9 [m^(-3)] は、同じあたいですか? 大変初歩的なものですが お返事待ってます