半導体へのドーピング

質問

半導体Geと不純物を含んだGe（おそらく１５族元素リン？）にそれぞれインジウムを高温で溶かして表面に拡散させた場合、Geのみでは高温で拡散させるにつれ抵抗率がだんだん下がるのですが、不純物を含んでいるほうは400℃くらいでは抵抗率が一時的に上がってから500,600となるにつれ下がっていきます。
これはなぜでしょうか？？回答よろしくお願いします。

回答No.1

noname#43438

化学反応の気がしますが。
半導体へのドープは、ｎかｐを所定量までの量で、生成させるです。
不純物の％が、どのくらいか分からないですが、
Ｓｉなんかだと、９９．９９・・・％の純度のものを使います。

お礼

なるほど。回答していただきありがとうございます。