- 締切済み
半導体の電気抵抗率
- みんなの回答 (1)
- 専門家の回答
みんなの回答
- angkor_h
- ベストアンサー率35% (551/1557)
下記を参照してみてください。 ここは、「半導体 温度」 でインターネット検索した最上位の場所です。ご自分で検索する癖をつけましょうね。
関連するQ&A
- 物質を 導体 半導体 絶縁体 で分ける
気の通しやすさによって、導体、半導体、絶縁体があることがわかりました そしてその3っつの分け方は電気伝導率で 導体 1.0 × 10^6 以上 半導体 1.0 × 10^6 ~ 1.0 ×10^-6 絶縁体 1.0 × 10^-6 以下 が、基準であると知りました。 そのため以下の物質の 電気伝導率 と 電気抵抗率を 各サイトで調べたところこんな感じでした 範囲が表示してあるのは大体中間の値でしめします 電気伝導率 電気抵抗率 Ag 61.4×10^6 1.59×10^-8 Au 45.5×10^6 2.21×10^-8 Cu 59.0×10^6 1.68×10^-8 Fe 9.9×10^6 10.0 ×10^-8 Pt ? 10.4 ×10^-8 Pb 4.8×10^6 20.8 ×10^-8 Ti ? 42.7 ×10^-8 海水 ? 20000000×10^-8 皮膚 ? 50000000000000×10^-8 紙 ? 1000000000000000×10^-8 木材 ? 100000000000000000000×10^-8 硝子 ? 1000000000000000000000×10^-8 電気抵抗率については調べると乗ってる事が多いのですが 電気伝導率はなかなか出てきません そこで電気抵抗率から電気伝導率を出せないか考えたのですが 電気抵抗率と電気伝導率が反比例してるように思えたので、その値を元に上の表を元に ?となっている部分を算出したらこうなりました 計算によると多少誤差が出るのは、温度等によって変化したりするため と 調べた数値は大よその値であるからだと思ったからです。 電気伝導率 電気抵抗率 Ag 61.4×10^6 1.59×10^-8 Au 45.5×10^6 2.21×10^-8 Cu 59.0×10^6 1.68×10^-8 Fe 9.9×10^6 10.0 ×10^-8 Pt 9.6×10^6 10.4 ×10^-8 Pb 4.8×10^6 20.8 ×10^-8 Ti 2.3×10^6 42.7 ×10^-8 海水 5.0×10^0 20000000×10^-8 皮膚 2.0×10^-6 50000000000000×10^-8 紙 0.1×10^-6 1000000000000000×10^-8 木材 ? 100000000000000000000×10^-8 硝子 ? 1000000000000000000000×10^-8 木材とガラスは算出してません ここから質問です 質問I 計算結果によるとこの物質の表の中では Ti より上が 導体 海水と皮膚 が 半導体 紙より下が 絶縁体 という解釈であっていますでしょうか? 質問II 電気抵抗率と電気伝導率は反比例している 計算によると多少誤差が出るのは、温度等によって変化したりするため と 調べた数値は大よその値であるから。 この仮説はあっていますでしょうか? 質問III 質問IIの仮説が違うのならどうやれば電気抵抗率から電気伝導率を算出できますか? もしくは電気抵抗率を関係させずに電気伝導率を出す方法はありますか? 返信には事情がありまして1ヶ月以上かかるかもしれません 申し訳ありません
- ベストアンサー
- 科学
- 半導体は温度が上昇すると抵抗率は減少するか?
電気の基礎の問題集に、次のような問題がありました。「一般に導体の抵抗は温度が上昇するに伴って増加する」その解説には、「半導体は一般に温度が上昇すると抵抗率は減少します。」。後者のは、抵抗ではなく、抵抗率で合っているのでしょうか?
- ベストアンサー
- 電気・電子工学
- 半導体の電気抵抗の実験
半導体の電気抵抗の温度による変化を測定する実験をしました。 最小二乗法で精度まで考慮した最終結果を出したいのですが、全く計算があいません。 R=R'e^(Q/kT)―(1) R:抵抗値(オーム)、T:温度(K)、R':高温極限での抵抗値(オーム)、Q:活性化エネルギー(J) 、k:ボルツマン定数=1.38x10^(-23) 測定結果 温度(度)―抵抗値(オーム) 18―1041 23―842 28―737 33―635 38―547 43―472 48―407 53―349 58―294 63―240 68―197 73―159 78―124 (1)の両辺の自然対数をとってln(R)=ln(R')+(Q/k)T^(-1)としてx=T^(-1),y=ln(R),a=ln(R'),b=Q/kとおいてy=a+bxというパラメータa,bを使ったy,xの関係にして計算したのですが、どうもありえない値が出ました。 何か間違いがあれば指摘していただきたいし、具体的なアドバイスがほしいです。よろしくお願いします。
- 締切済み
- 物理学
- 半導体の電気抵抗の温度変化
半導体でできた入れ物の中に入った0℃の水(水道水)の電気抵抗はどのくらいでしょうか? また R=R₀(1+αT) の式を使って、「半導体は温度が上昇すると抵抗が増す」ということを証明するにはどのようにすればいいでしょうか? R 抵抗 R₀ 0℃のときの抵抗 T 温度 α 抵抗の温度定数
- 締切済み
- 物理学
- 半導体の電気伝導度の温度依存
半導体は温度が上がると電気伝導度が大きくなるのは分かるのですが、真性半導体と不純物半導体での電気伝導度の温度依存に違いがあるのかがよく理解できません。 後者には不純物に由来するキャリアがある分、真性半導体よりも温度が上がった時に電気伝導度が大きくなるのかなと考えたりしていますが・・・ 解説よろしくおねがいします。
- 締切済み
- 物理学
- 半導体の電気抵抗とバンドギャップ
先日、半導体(ゲルマニウム)の電気抵抗を計測する実験を行いました。その実験結果を元に半導体の活性化エネルギーと高温極限での抵抗値を求めたのですが何か違うような気がします。 使った式はR(T)=R_∞ * exp{Q/(kT)} です。R_∞は高温極限での抵抗値、Qは活性化エネルギー、kはボルツマン定数、Tは絶対温度です。 この式と実験結果を使って求めると、 R_∞=2*10^(-4) [Ω] =0.2 [mΩ] Q=0.4[eV] となりました。 ただ、疑問に思うところがあります。R_∞に関しては高温極限とはいえ余りに抵抗値が低すぎるのではないか。 それとQについてはQ=E/2 (E:バンドギャップ)であり、資料からゲルマニウムの室温付近のE=0.666[eV]よりQ=0.333[eV]が妥当なはずなのに約0.7[eV]も差が出ている。 このような疑問です。 Qについては調べていくと、半導体に不純物が含まれていると不純物準位というのができてEの幅が広がるとあったのでそのせいかとも思ったのですが、それにしても差が大きいような気がします。 自分の求めたR_∞、Q は妥当なのでしょうか?それともおかしいのでしょうか?些細なことでも結構ですのでアドバイスをいただけたらと思います。 よろしくお願いいたします。
- ベストアンサー
- 物理学
- 金属、半導体の温度と電気抵抗の関係について
金属や半導体の温度と、それらの電気抵抗の関係(温度がが変化すると電気抵抗も変化するというやつです)について調べたいのですが なんという分野で調べたらいいのかわからなくて困っています 電磁気学、物性、電気・電子工学 の本で調べてみたのですが 見当たりません よろしくお願いします
- ベストアンサー
- 物理学
補足
参考のホームページを見ました。-195度ぐらいまでの抵抗率が知りたいのでお手数ですがもう少し説明をお願いします。