ＭＯＳ形のＦＥＴについて

質問

ＭＯＳ－ＦＥＴには、ゲート電圧がゼロの時にも電流が流れるデプリーション形、ゲート電圧がゼロの時には電流が流れずに電圧を加えるに従い電流が流れるエンハンスメント形があるというのは分かったのですが、その融合形のデプリーション・エンハンスメント形とか、四極ＭＯＳ形というのは、先の２つと比べるとどのような特長があるのですか?
つなぎ方によって（電圧の順方向と逆方向によって）デプリーション形にもエンハンスメント形にもなり得るというだけではないですよね？

回答No.1

nta · ベストアンサー

エンハンスメントタイプは主にゲートバイアスが＋の領域で、デプレッションタイプはゲートバイアスが－の領域で使用されます。一方MOSのFETの場合にはゲート入力電圧が０ボルトの両側で動作させることができるものもあります。これがデプレッションエンハンスメントタイプと呼ばれます。このタイプは交流を増幅するときにゲートバイアスが不要になり、高インピーダンスの入力回路を実現できます。４極MOSはゲートが２つあるデュアルゲート構造になっているMOSFETのことを指します。

回答No.2

saikoro

はずしているかもしれませんが、
４端子デバイスとかニューロンMOSとかνMOSと呼ばれているものでしょうか。
これだとしたら、フローティングゲートに二つの電極を容量結合させ、一方を普通のゲート端子（信号）、もう一方を閾値制御用端子として用いるものです。見かけ上デプレッション、エンハンスメントにできます。
（バックゲートを数えて普通のMOSFETを４端子デバイスという場合もありますが（これも閾値を変えるんですが）、この場合は違います。）

あまり良いURLがなかったのですが、とりあえず開発者に関連した所を載せます。

参考URL：

http://www.compaq.co.jp/info/qmagazine/Lab/049_01_lab.html