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磁気モーメントの遮蔽について
2次元電子系の問題で、磁気モーメントが存在する場合、それより多くの電子によって、磁気モーメントの効果は、弱められますか。具体的には、シリコンMOS反転層の界面に存在するイオンの磁気モーメントの効果が、磁気モーメントより数の上で多くの電子によって、弱められるかを知りたいです。そして、電子数を多くしていった場合に、この遮蔽の効果が、だんだんと強くなっていくか知りたいです。
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参考サイト https://hmori.issp.u-tokyo.ac.jp/pdf/4_Molecular%20magnets.pdf 関係あるかどうかわかりませんけど
