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回路設計 トランジスタ2SC1815
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- ohkawa3
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回答(1)再出 もう少々情報を提供します。 一般的なシリコントランジスタのhieは、次の関係式で表すことができます。詳細は、式の後のURLを参照してください。 入力インピーダンス hie = 0.026 × hFE / コレクタ電流 IC https://sagara-works.jp/research-and-development/electronics/transistor-basic/voltage-amplification/
- ohkawa3
- ベストアンサー率59% (1344/2264)
過去のご質問とほぼ同等の内容について再度のお問い合わせのようですね。 https://okwave.jp/qa/q10081432.html 設問を丸投げしないで、どこが分らないか、ご自身でもう少々検討してからご質問になったら如何でしょうか。 2SC1815の特性については、メーカーが公表しているデータシートから読み取ることができます。 https://www.ne.jp/asahi/evo/amp/device/2sc1815.pdf 仮に、このようなデータシートを参照することが難しい状況としても、シリコントランジスタの一般的な特性（能動状態のVBE≒0.7Vなどなど）から、高周波特性を除けば所望の答えを得ることはできる筈です。
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