矩形波の変化直前にオーバーシュートとアンダーシュートが出る理由
- CMOS回路シミュレーションで矩形波の変化直前にオーバーシュートやアンダーシュートが発生する理由について教えてください。
- 矩形波の電圧変化の直前にオーバーシュートやアンダーシュートが現れる現象について、spiceなどのCMOS回路シミュレーションを通じて説明してください。
- 矩形波の変化直前にオーバーシュートやアンダーシュートが起こる理由を、spiceなどのCMOS回路シミュレーションに基づいて解説してください。
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矩形波の変化直前のオーバーシュート
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次に示すようなCMOS（NMOS＋PMOS）のモデルを使って、理想的な矩形波電圧源でin端子を駆動すると、CMOS素子のゲート－ドレイン間 容量（CGDO）を介して、駆動波の立上がり（立下り）が出力端子に現れ、素子が応答してから、本来のロジックレベルに落ち着くようですね。 駆動波形の立上がり（立下り）時間を1ns～2ns程度に鈍らせれば、ほとんど目立たなくなります。 CMOSのモデル： *0.8um CMOS process is assumed * .model n nmos level=1 +VTO=0.7 KP=110u GAMMA=0.4 +PHI=0.7 LAMBDA=0.04 PB=1.23 +CGSO=0.22n CGDO=0.22n CGBO=0.7n +RSH=60 CJ=0.77m MJ=0.5 +CJSW=0.38n MJSW=0.38 +JS=0.1m TOX=14n LD=16n FC=0.5 .model p pmos level=1 +VTO=0.7 KP=50u GAMMA=0.57 +PHI=0.8 LAMBDA=0.05 PB=0.98 +CGSO=0.22n CGDO=0.22n CGBO=0.7n +RSH=135 CJ=0.56m MJ=0.5 +CJSW=0.35n MJSW=0.35 +JS=0.1m TOX=14n LD=15n FC=0.5
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- ohkawa3
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CMOSインバータ回路には、どのようなモデルを使っていますか？
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お礼
有難う御座います。確かに寄生容量の影響は考えられますね。実際のsim.で確認してみます。