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抵抗内蔵トランジスタのエミッタフォロワについて
こんにちわ。 添付画像のような回路を分析してまして出力電圧（エミッタ抵抗両端電圧）が分からず苦慮してます。 設計資料では2kΩと10kΩの抵抗で5Vを分圧してベースに与える単純なエミッタフォロワを考えていたようですが、 実回路に採用されてるトランジスタはB-E間に抵抗が内蔵されている型で、この抵抗を通して電流ルートを形成してしまうので、ベース電圧が設計資料通りの分圧電圧にならないと考えています。 ですが、これを計算で説明できるところまでは至れませんでした。 ご助言いただければ幸いです。
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2kΩ抵抗、10kΩ抵抗、ベースの交点をキルヒホフの法則でとけばいいんじゃないですか。この交点に対して、2kΩから流れ込む電流、10kΩに流れ出す電流、ベースに流れ出す電流の和が0です。 【ベースに流れ出す電流】 負荷が無い場合出力電圧は、 Vo=(Ic+Ib+(Vbe/5000))*1000 (Vbeはベースエミッタ電圧約0.6V) トランジスタの性質から、 Ic=hFE*Ib よって、 Ib=(Vo/1000-Ve/5000)/(hFE+1) 【2kΩから流れ込む電流】 Vb=Vo+Vbe I2k=(5-Vb)/2000 =(5-Vo-Vbe)/2000 【10kΩから流れ出す電流】 I10k=Vb/1000 【キルヒホフの法則より】 I2k-I10k-Ib=0 こんな感じで。方程式をいじるのは私は30年ぶりなので確認してください。
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