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抵抗内蔵トランジスタのエミッタフォロワについて

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お礼率 100% (1/1)

こんにちわ。
添付画像のような回路を分析してまして出力電圧(エミッタ抵抗両端電圧)が分からず苦慮してます。
設計資料では2kΩと10kΩの抵抗で5Vを分圧してベースに与える単純なエミッタフォロワを考えていたようですが、
実回路に採用されてるトランジスタはB-E間に抵抗が内蔵されている型で、この抵抗を通して電流ルートを形成してしまうので、ベース電圧が設計資料通りの分圧電圧にならないと考えています。
ですが、これを計算で説明できるところまでは至れませんでした。

ご助言いただければ幸いです。

回答 (全1件)

  • 回答No.1

ベストアンサー率 34% (517/1519)

 2kΩ抵抗、10kΩ抵抗、ベースの交点をキルヒホフの法則でとけばいいんじゃないですか。この交点に対して、2kΩから流れ込む電流、10kΩに流れ出す電流、ベースに流れ出す電流の和が0です。

【ベースに流れ出す電流】

 負荷が無い場合出力電圧は、
 Vo=(Ic+Ib+(Vbe/5000))*1000
 (Vbeはベースエミッタ電圧約0.6V)

 トランジスタの性質から、
 Ic=hFE*Ib

 よって、
 Ib=(Vo/1000-Ve/5000)/(hFE+1)

【2kΩから流れ込む電流】

 Vb=Vo+Vbe

 I2k=(5-Vb)/2000
  =(5-Vo-Vbe)/2000

【10kΩから流れ出す電流】

 I10k=Vb/1000

【キルヒホフの法則より】

 I2k-I10k-Ib=0

 こんな感じで。方程式をいじるのは私は30年ぶりなので確認してください。
お礼コメント
c9typeO

お礼率 100% (1/1)

おかげさまで解くことが出来ました。

早々の回答をありがとうございます。大変助かりました。m(_ _)m
投稿日時 - 2018-08-11 13:47:10
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