FETのDV/DT破壊のメカ
- FETのDV/DT破壊のメカについて分かりやすく説明します。
- FET並列接続時のメカSWのON/OFF耐久評価でFETが壊れる原因はDV/DT破壊です。
- バイポーラTrを使用することでFETのDV/DT破壊問題を解決することができます。
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FETのDV/DT破壊のメカについて
いつもお世話になります。 FETのDV/DT破壊のメカについて、分かりやすい説明を求めております。 背景としては、外置き負荷（RLY）をFETにて駆動しておりましたが、メカSW駆動の必要があり、FET並列接続しましたら、メカSWのON/OFF耐久評価時FETが壊れてしまいました。FETの参照文言より、DV/DT破壊が有力な犯人とは分かったのですが、そのメカニズムの説明がよく分かりません。私の理解度としては、本や、講義などを通じFETの原理は把握しておりますが、さすが DV/DT破壊の説明は理解できませんでしたので、どなたか分かりやすく説明できる方の力を借りたいです。 参考までに、上記の対策としては、バイポーラTrにて解決しました。
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はじめまして！ 外置き負荷のメカスイッチとはどのようなものでしょうか？ 等価回路などで表現できるでしょうか？ FETに流れる電流および電圧の上昇など（LCRの過渡現象）、許容値を超えることが起っているのではないでしょうか？その他、浮遊容量やGNDの電位差などでもFETに過渡現象が見られることがあります。またFETに内蔵する逆ダイオードの耐量不足なども要因としてあります。 dv/dtについては、下記の資料も参考になると思います。 http://www.semicon.toshiba.co.jp/shared/presentation_pdf/powerdevice_trend.pdf こんなサイトがあるなんて！ http://www.geocities.co.jp/Technopolis/5348/fet.html こんな資料もありました！ http://www.national.com/JPN/appinfo/power/files/PowerDesigner107_J.pdf ちょっと専門的ですが http://www.national.com/JPN/an/AN/AN-558.pdf 書籍のご紹介 CQ出版社：パワーMOS FET 活用の基礎と実際 日刊工業新聞社：パワMOS FETの応用技術 第二版 よくわかるパワーMOSFET/IGBT入門 まずは！
毎度ＪＯです。 単にＦＥＴの容量不足ではないでしょうか？ バイポーラTrに変更しなくとも、電流容量の大きな物に変更でよろしいのでは 参考文献は下記参照ＵＲＬ
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