真性半導体について

質問

真性半導体は　バンドギャップの中央にフェルミ準位がある　それは　何故ですか？　　

導体に近づけるために　何かを混ぜて価電子帯と伝導体の幅(バンドギャップ）の間に　　　　　　　　　不純物を入れることによって　熱励起しやすくする　と書いてありました。　　　　　　　　　　　　　　　　　
何を熱励起しやすくするのですか？

色々　考えてたら分からなくなってしまいました。　おしえてください

回答No.2

tadys · ベストアンサー

＞真性半導体は　バンドギャップの中央にフェルミ準位がある　それは　何故ですか？
話が逆です。
バンドギャップの中央にフェルミ準位があるものを半導体（又は絶縁体）と言うのです。
バンドギャップが小さい場合は半導体になり、大きな場合は絶縁体になります。

＞何を熱励起しやすくするのですか
電荷を運ぶためのキャリア（担体）です。
N型半導体では電子がキャリアになり、P型半導体では正孔がキャリアになります。

以下を参考に
http://ja.wikipedia.org/wiki/%E3%83%90%E3%83%B3%E3%83%89%E7%90%86%E8%AB%96
http://akita-nct.jp/~tanaka/kougi/2007nen/3e/3-4hujunbutu.pdf

お礼

ありがとう　ございます。　半導体に関する本が多く　その中でも分かりやすい参考書を購入しましたが　いまいちでした。でも　聞いて　良かったです。
とても　分かりやすく参考にさせていただきます。

回答No.1

アウストラロ ピテクス（@ngkdddjkk）

ご参考にしてください。

http://okwave.jp/qa/q7569221.html

お礼

ありがとう　ございます。　是非　参考にさせていただきます。