フェルミ準位とは?価電子帯と伝導帯の間に位置する

このQ&Aのポイント
  • フェルミ準位とは、電子が絶対零度で存在することができる最大エネルギーを指す。
  • 価電子帯の準位は電子で満たされ、伝導帯の準位には電子が存在しないと考えられている。
  • フェルミ準位は価電子帯と伝導帯の間に位置し、絶対零度における電子の存在確率は価電子帯で1であり、伝導帯で0となる。
回答を見る
  • ベストアンサー

フェルミ準位について教えてください

私の持っている資料にフェルミ準位についてこう書かれていました。 「電子が絶対零度で存在することができる最大エネルギーをフェルミエネルギーと言う」 また教科書には 「フェルミ準位よりも下に位置する準位には電子が存在し、この上にある準位には電子がないようなものと考えて良い」 この考えで、真性半導体についての説明をんで混乱しました。 「価電子帯のすべての準位は電子で満たされている。従って絶対零度における電子の存在確率は価電子帯で1、伝導帯で零となり、存在確率が1/2となる。すなわちフェルミ準位は価電子帯と伝導帯の間に位置することになる。」 以下に教科書の図を示します(手書きで申し訳ありません) EcとEvの間は禁制帯で電子が存在できないはずなのに、図を見ると、禁制帯の間にフェルミ準位があります。 上の教科書の説明からいくと、EfとEvの間には禁制帯ながら、電子が存在できることになりますが.....これはどういうことでしょうか? このまま読み進めた結果PN接合のところでさらに混乱してしましました。 長くなってしましましたが、回答宜しくお願いします

  • pairot
  • お礼率35% (106/297)

質問者が選んだベストアンサー

  • ベストアンサー
回答No.1

価電子帯の電子は、エネルギーを受けると伝導帯に遷移することはわかりますね? また、フェルミ分布関数を考えてみると、フェルミエネルギーの点を原点にすると点対称な関数になっています。 遷移する前とした後の電子の準位の中心は、フェルミエネルギーになっているはずです。 電子がいくつも励起されると、分布関数に従ったエネルギー分布を見せます。 これは価電子帯のホールの分布も同じ形で分布します。 電子の分布をみた場合、価電子帯の上端と、伝導帯の下端の間の中心にフェルミエネルギーがあるような分布をしているということから、フェルミエネルギーはこのような位置になります。(ある種の対称性がある為、中心になります) ドープ原子がある場合、電子が存在できる準位が禁制帯の中にできてしまう為、電子の存在分布が変わり、フェルミエネルギーが少し上もしくは下に移動することも教科書には書いてあることでしょう。

pairot
質問者

補足

回答ありがとうございました。 もう一つお願いします >ドープ原子がある場合、電子が存在できる準位が禁制帯の中にできてしまう為、電子の存在分布が変わり、フェルミエネルギーが少し上もしくは下に移動する ということは、「ドナー準位」、「アクセプタ準位」がフェルミ準位と考えるのですか?

その他の回答 (2)

回答No.3

#1,2様の回答とは別に、少し違うアングルで。 フェルミディラック分布は、「電子の居場所がそのエネルギーレベルにあるとして」その居場所を電子が埋める確率を示すもの。この確率が五分五分となるエネルギーレベルがフェルミレベル。 「そこに電子の居場所があるか」はまた別の話。禁制帯には電子は安定的に存在できない、すなわち電子の居場所はない。これはフェルミディラック分布とは全然別の事情で定まるもの。

pairot
質問者

お礼

ありがとうございました フェルミディラック分布からの考えはしていませんでした。 これからもよろしくお願いします

回答No.2

No.1です。 >「ドナー準位」、「アクセプタ準位」がフェルミ準位と考えるのですか? 違います。フェルミ準位は母体の半導体とドナー、アクセプタの全体を考えた時のエネルギー準位です。(物質全体の自由電子のエネルギーを考える為) ドナー準位やアクセプタ準位は、あくまでドープされた原子の原子核が作る準位です。ですので、ドープ原子が点在しているのでエネルギーバンド図のドナー準位やアクセプタ準位は点線で書いています。 これがあると、真性半導体にある禁制帯に少なからず電子が存在でき、電子の励起が起こったときに電子分布が真性半導体のときと比べて、中心エネルギー(フェルミエネルギー)がやや低くなったり、高くなったりします。

pairot
質問者

お礼

回答ありがとうございました。   勘違いをしていました 今後もよろしくお願いします

関連するQ&A

  • フェルミ準位について

    禁制帯とは、電子が存在しない範囲と習ったのですが、、、 フェルミ準位は、禁制帯中に存在しかつ電子の存在確立が二分の一であるとも習いました。 これは矛盾しているように感じるのですが。 なので、どなたかなぜ禁制帯中にフェルミ準位があるのか教えていただけませんか? よろしくお願いします!

  • フェルミ準位の温度

    こんにちは 例えば、 http://www.geocities.jp/hiroyuki0620785/k0dennsikotai/51d46gennri.htm に フェルミレベル (Fermi Level フェルミ準位) 価電子帯の最高のエネルギー状態をフェルミ準位(電子の存在確率が1/2になるエネルギー)いいます と書かれています。 フェルミ準位は、絶対0度の時 の事を言うのでしょうか?

  • フェルミディラック分布則と電子の個数

    各エネルギー値の電子が存在する確率はフェルミディラック分布の形に従いますが、その確率が高ければそのエネルギーを持つ電子の数も多いという事になりますか? フェルミディラック分布関数f(ε,T)自体はあくまで確率分布なので縦軸の最大値は1であり電子の個数を表してるわけではありません。しかしエネルギーの低い所から電子が満たされていくので、金属固体などではエネルギーが低い電子は価電子帯に多く存在し、電流となる自由電子は伝導帯、つまりフェルミ準位付近の僅かな電子しか電流に寄与しません。よってエネルギーが大きくなればそのエネルギーを持つ電子の数も段々少なくなると思います。厳密にエネルギーとそれに対応する電子の個数との関係がフェルミディラック分布関数のようになるのかという意味ではありませんが、エネルギーの低い電子はそれだけ数が多く、エネルギーが高くなればなるほどエネルギーの高い電子の個数もどんどん少なくなっていくという事でしょうか?

  • 空乏層のフェルミ準位

    空乏層のフェルミ準位ってどういう定義で決められているんでしょうか? 電子の存在確率が50%の所がフェルミ準位という定義で考えればキャリアの存在しない空乏層ではそんなもの決められないとおもうのですが・・・

  • フェルミエネルギーとは?

    理工学基礎 物性科学 坂田亮著 培風館 ↑ この本を勉強しているのですが、フェルミエネルギーというものはいったいなんなのかいまいちわかりません。 フェルミディラック分布関数によればフェルミエネルギーを取る電子が存在する確率が1/2になるようです。ところが、たとえば真性半導体であればフェルミエネルギーはちょうど禁制帯の真ん中に来ていますがそもそも禁制帯のエネルギーは電子は取りえないのだから存在確率は0なのではないでしょうか? また検索でフェルミエネルギーを調べると、電子の取りうる最大のエネルギーという記述がありましたが、これはつまり固体の中に存在する電子の最大のエネルギーを持っているものが半分であるということですか? 日本語がかなりまずいところもあるかと思われますが、ぜひとも教えていただきたいです。お願いします

  • フェルミ準位についてイメージを教えて下さい。(概念程度)

     金属のフェルミ準位と伝導帯との関係を教えて下さい。金属は、電子が伝導帯にあるから伝導に寄与できる状態にある、ということでなぜフェルミ準位が関わるか分かりません。  今、実は絶縁物について学んでいて基礎が不十分なためにお聞きしている次第です。そこで、もう一つ質問なのですが、絶縁体のLomoが金属でいう伝導帯とほぼ同じ意味というのを耳にしました。しかし、イメージがわきません。LOMOより浅いエネルギーに電子があるとその電子は伝導に寄与するということでしょうか? バンド理論についてはことのほか素人であるため、教えて頂けると幸いです。

  • 発光ダイオードについて教えてください

    1.低エネルギーでは、状態密度項に比例して、高エネルギーではボルツマン項に比例する式、図の載っている資料を教えて下さい。 2.レーザの場合、該当する式は、どうなるのでしょうか? 3.発光ダイオードを考えるとき、伝導帯Ec,価電子帯Ecの差である禁制帯幅Egと、光のエネルギーhωは、当然必要です。 擬フェルミ準位EFn,EFpの値は、何か使うことがあるのでしょうか? 擬フェルミ準位であるそれぞれのEFn,EFpの値が、伝導帯Ec,価電子帯Ecに近い程、電子やホールが多いので、多分、再結合割合は、増えそうですが、それを使って、光の放出割合等を計算するのでしょうか? ちなみに、擬フェルミ準位であるそれぞれのEFn,EFpの値が、伝導帯Ec,価電子帯Ecを、超えると、反転分布となって、レーザになるのですね。 光の放出割合は、np積に比例する。 np積を計算するには、擬フェルミ準位EFn,EFpの値が必要のはず。 電圧を上げたら、EFn,EFpの値が、伝導帯Ec,価電子帯Ecに近づくので、沢山、光子を放出する感じはする。 しかし、今見ている教科書には、詳しくは書かれてない。

  • フェルミディラック分布関数の問題が解けません

    シリコン真正半導体結晶の禁制帯幅Eg[wV]が温度T[K]の関数として、 Eg=1.21-4.1*10~-4Tと表わされるとします。 この結晶で、フェルミエネルギーより0.05eVだけ下位にあるエネルギー準位が温度T=300Kで電子に占有される確率を計算できません。 どなたか教えてください。 さらにこの結晶で、伝道帯の底に位置するエネルギー準位が温度T=300Kで電子に占有される確率を計算できません。 真正半導体のフェルミエネルギーレベルがどこにあるか考えればいいと思うのですが・・・

  • 半導体でのフェルミレベルについて質問です。

    大学でフェルミレベル(フェルミ準位?)は、「絶対零度で電子が存在することができる最大のエネルギーと同等」とか、「電子の存在確率が50%のところ」と習いましたが、いまいち理解できません。 不純物を入れた場合でのフェルミレベルはどう考えても前者は成立しませんからそんな適当な説明じゃ到底フェルミレベルのことを理解することはできないと思うのです。 それに、後者の場合でも「50%のところをフェルミレベルって言うんだ!」って言われても全然理解できないです。。。 いくつかの書籍を見ても、フェルミレベルについて細かく記しているモノが少ないです。「原子の周りに電子が全てそろっている(外部からエネルギーを得ていない)ときの電子が持つ最大のエネルギー」という記述がありましたが、これはまぁ理解できそうですが、いまいち足りないです。 そういうものだと鵜呑みにするしかないならばそれでいいのかもしれませんが、どうにも完璧に理解しなければ困りそうなので、どなたか教えてもらえないでしょうかorz

  • ドナー準位の位置について

    現在、電子工学を勉強している学生です。勉強していて分からないことがあったので質問させてください。教科書に「ゲルマニウムやシリコンにヒ素やリンを混ぜてn型半導体とした時に、余った価電子が占めるエネルギー準位が、結晶本体の空の伝導帯の少し下に位置する。」とありますが、なぜ価電子の準位が空の伝導帯の少し下に位置しているのでしょうか?準位の求め方がよくわからないので困っています。よろしくお願いします