FETに±の方形波 -FETに±１０V程度の方形波を入力してオープンドレイ-

FETの故障診断について

STエレクトロニクス社のSTE250NS10というＦＥＴを使用しているのですが、ドレイン-ソース間に電圧が流れなくなりました。ゲート電圧:10.5V,電源-ドレイン:24Vが電圧が加わっているのでONしてドレイン-ソース間に24Vが流れるはずなのですが、先日ONしなくなりました。導通を計測したところ、ドレイン-ソース間：導通なしドレイン-ゲート間：導通なしゲート-ソース間：導通なし電源-ドレイン：導通ありドレイン-ＧＮＤ：導通あり電源-ゲート：導通ありという結果が出たところまでは調べて、ＦＥＴは正常と判断しているのですが他に考慮すべき点とかはないでしょうか。あまり時間もなく困っています。宜しくお願い致します。

FET回路についてなんですが。

FETのゲート-ソース間電圧によりドレイン側に接続してあるLEDの輝度を調節したいのですが、FETの周りの抵抗ってどれくらいにしたらいいんでしょうか？ FETはMOSで、Nch、エンハンスモード、G-S間電圧５V、ドレイン電流は５０ｍAぐらいを目指しています。

FETの逆みたいなのあります？

FETのGateに電圧をかけるとドレインとソースが切り離されて、 Gateに電圧をかけないとドレインとソースが切り離されないFETってあります？。最悪NOT回路を入れることになりそうなんで。教えていただきたいです

FET　２SK３０Aのスイッチング動作について

ソースをマイナスに接続。ゲートとマイナス間に１MΩと１μの電解を接続。ドレインとプラス３V（電池の電源）間に２０Kを接続。この状態でゲートとプラス間に１K～１Mを接続しても、ゲートとマイナス間に１K～１Mを接続してもドレインの電圧は０Vのままでスイッチング動作をしてくれません。ゲートをオープンにしてをピンセット等でチョンチョンするとドレインの電圧が３Vになったり１．５Vになったり０Vになったりします。ちなみにFETは破壊されていません。ゲート電圧でスイッチング動作をさせる方法を教えてください。

今回、リレーではなくＦＥＴを使ってみたいのですが・・・

自分の研究の中で、「約１０００Ｖ（rms）の電圧をオイルコンデンサにためていき、一気に放電させる」という部分があります。コンデンサは、充電用の「電源部分（トランス・整流）」と放電用の「負荷部分（コイル）」の２つが接続されています。それで、いざ放電させるときに、負荷にだけ電流が流れるように（電源部分に電流が流れ込まないように）、放電するときだけ電源部分を切り離してしまおうと考えました。また、充電するときはもちろん電源部分とコンデンサは接続されていなければなりません。（充電できないので）初めは普通に高圧用のリレー（水銀リレー）で切り離そうかと思ったのですが、ソースドレイン間の耐圧が１０００ＶのＦＥＴが手元にあり、このソース・ドレインを１０００Ｖラインに直列にいれて、フォトカプラでゲートに電流を流し、ＯＮ・ＯＦＦ操作をすることは出来ないかと考えました。それで質問なのですが、こういう場合、ＦＥＴのゲートには何をどのように接続すればよろしいでしょうか？フォトカプラの接点の片方に別電源の電圧をかけて、それをゲートにつなぐ、でもよろしいでしょうか？それとも、別電源にしなくても、１０００Ｖラインから抵抗などを介して、ゲートに接続する、ということが出来ますでしょうか？？簡単に言いますと、「１０００Ｖラインの入り切りを、ＦＥＴを使って行うためには、どのようにＦＥＴをドライブさせればよろしいでしょうか？」ということです。リレーを使えばそれで済むとは思うのですが、自分のスキルアップのためにも、ぜひどなたか教えていただければありがたいです。また、ＦＥＴで無くとも、何か他のやり方で１０００Ｖラインの入り切りが出来るのであれば、ぜひ教えていただけるとありがたいです。どうかよろしくお願いしますｍ（＿＿）ｍ

FETプッシュプル　波形が乱れる

100kHzの矩形波を1Aから3A程度出力したかったので、 100kHzのタイマ出力をFETプッシュプルを使って増幅して出力しました。無負荷の状態ではFETプッシュプルから矩形波が出せたのですが、抵抗、コイル、コンデンサをつないだ時、波形が乱れてしまいました。どうしてなのでしょうか？また解決策を教えてください。ちなみにFETのプッシュプルはタイマの出力をNチャンネルとPチャンネルのGATE、互いのドレインに+5Vと-5V(10Vと0V)、互いのソースを出力としています。

MOS-FETの使い方　2

OV～８Vの直流電圧の変化をLEDの光に置き換え、CdSの抵抗値を変化させる下図のような回路を製作しています。電圧の変化はMOS-FETを使って電流に変換しているのですが、MOS-FETの閾値が2Vほどあるので入力電圧が0V～2Vのときの電圧の変化をLEDに反映させることが出来ずに困っています。数日前にもここでアドバイスして頂きゲート電圧を閾値分シフトする、つまり入力電圧が０VのときVgsに２Vかかるようにすればよいということが分かっているのですが、実際にやってみるとうまくいかず具体的な方法がよく理解できていなかったようです。できればオペアンプは使わずになるべくシンプルな方法で済ませたいのですが、どなたかアドバイスお願いします。ちなみにVinはオペアンプ4558の出力です。(http://kazukiakiyoshi.cocolog-nifty.com/photos/schem/image1.jpg)

トランジスタとFETについて

トランジスタとFETについてそれぞれの出力(Vo）はトランジスタ：ONしたときVOは+5VからB-E間の電圧降下により約4.3V FET：RDS（ON抵抗）に流した電流分、電圧降下するので+5V-RDS×電流この考えでよろしいのでしょうか？

ＦＥＴの消費電力について

ＦＥＴとはゲート電圧をかけることにより電圧を誘起させ、ソース・ドレイン間に電流を流すデバイスですよね！？いくつか質問があるのですが・ＦＥＴの消費電力といったらドレイン電力、ソース電力、ゲート電力の合計ということなのでしょうか？・ゲート電力とは存在するのでしょうか？オームの法則からＶ＝Ｉ×Ｒですが、ゲートには電流は流れません。そのためＩ＝０となり、ゲート電力は０になるのですか？電流が流れないのに、電圧だけかけるというのはどういうことなのでしょうか？レベルの低い質問で申し訳ないのですが、是非教えて下さい。

抵抗領域の広いFET

信号用のJ-FETなのですが、通常はドレインの電圧が高くなると低い電圧で飽和領域となります。その手前の抵抗領域とか線形領域とか言われる領域が広いFETがあれば良いと思いまして探しています。詳しい方でご存知でしたら教えてください。真空管とV-FET、CDSセルとかは除きます。それ以外でどうにか入手できるもので定電流的ではない特性の素子があれば教えてください。

FETによるアナログスイッチについて

よく下図のような、アナログスイッチを見かけます。この動作は、「Vinに正の入力信号が入っているときに、 Switchが閉じればFETがOFFして、Vout=0V。 Switchが開けば、Vgs=0VとなるのでFETがONして、 Vout=Vinとなる。」といった解説がなされます。しかし、Vout=Vinのとき、電流はFETのソースからドレインの方向に流れることになります。これはおかしくないのでしょうか？ N-ch FETはドレイン→ソースの向きにしか、電流を流さないのではなかったでしょうか？

FETの特性

現在、FET(電界効果トランジスタ)を使った実験をしています。そこで測定した値に見られる傾向を書きたいのですが、ゲート側の電圧を一定にしたときの出力インピーダンスはドレイン側の電流に反比例する。でいいんでしょうか？また相互コンダクタンスはどのような傾向になりますか？

MIS FETでスイッチング

お恥ずかしい話ですが、すごく基本的な質問をさせてください。というか、非常にとんちんかんな質問なのかもしれません。外部DC入力端子から電源回路の途中に過電圧保護回路が平行してあり、それが動作すると電源回路直前のNチャンネルのMOS FETがオフになって電源が遮断される仕組みになっているある回路があります。この回路図ではMOS FETの電源入力端子側にソース、電源回路側（つまり出力側）にドメインが接続されて、過電圧保護回路からの出力をゲートに入力しています。ただ、MOS FETには極性もあって一般的には入力がドメイン、出力側がソースになっているですね。ですから上記の回路図の機械で動作する理由が分かりません。それでいて記号を見るとNチャンネルのMOS FETは端子側からドメイン側へ矢印になってますよね。トランジスタやダイオードで見ると矢印の方向に電流が流れるはずなのにこの素子では逆ですよね。その理由もわかりましたら教えていただきたいです。

FETの基本的な動作がわかりません

「定本　OPアンプ回路の設計」のP355について質問がありますコンパレータの応用回路として、下図のような「分圧抵抗の自動切り替え回路」が載っており、以下のような説明がなされています。「入力電圧VinがFETのピンチオフ電圧Vpp（例えば3V）を上回っている間はFETがオフになっています。この状態ではR1,R2で分圧された入力電圧がコンパレータに加わります。しかし、Vinがピンチオフ電圧Vppより小さくなるとFETがONして、 R1を短絡し、ほとんど1:1の信号電圧がコンパレータに加わります。」しかし、この切り替わりの境目はVin=Vppではなく、 Vin*R2/(R1+R2)=Vppの時ではないでしょうか？（たとえば、Vinが正の大きな電圧の時、Tr2はON、Tr1はOFFなので、入力電圧Vinは上側R1とR2で分圧されるため、 Tr1のVgs=-Vin,Vgd=-Vin*R2/(R1+R2)となります。 J-FETのソースとドレインは入れ替えても同じなので、 Vinを小さくしていくと、Vgdの絶対値の方が先にピンチオフ電圧より小さくなるため、この時を境にTr1がONすると思うからです。）

小信号をFETで増幅

非安定マルチバイブレータを作り、その出力信号をFETのゲートに入力し、増幅させたいです。以下の回路でやってみたのですがどうもうまくいきません。 15Vにはなっているのですが、周波数が0です。出力はトランスです。きたなくてすみません。左の6V電源はトランジスタの耐圧によりそれ以上あげることができません。

FETの駆動電圧

回路設計初心者なので、詳しい方教えてください。 FETのデータシートで、駆動電圧が、２．５Vのと４Vの物がありますが、良くわかりません。 FETのゲートを動かす電圧と考えてよいのでしょうか？社内の昔作った回路図では、３．３VのマイコンでFETを動かしている物があるのですが、そのFETは２．５Vの駆動電圧の物を使ってました。今回、５V動作のマイコンでFETを駆動したいのですが、５Vの場合は、４V駆動のFETを使えばよいのでしょうか？また、２．５Vの電圧の物でも、５Vのマイコンで動作させることが出来るのでしょうか？ポイントを教えていただけると嬉しいです。

MOS-FETの使い方

ギター用エフェクターやミキサーのパラメータを外部入力される音声信号で制御する回路の製作を考えています。まず、手元の回路図から音の大きさを電圧に変えるエンベロープフォロワを作りました。この回路の出力は数十mVから数Vですが、この出力電圧でエフェクターやミキサーの操作をしたいと考えています。出力電圧をFETに入力してLEDを駆動し、光をCdSで受けてミキサーのボリュームつまみなどの抵抗値を変化させる図のような回路を思いつきましたが、正しいかどうか不安です。また、R1,R2の定数の決め方が分かりません。他の方法やアドバイスなど、何でもよいのでよろしくお願いします。

FETの動作

Pch-MOSFETの使い方がいまいちわかりません。 3.3V動作のマイコンで5Vの電圧を負荷にかけたいのですが、マイコン--->FET(G) 5V----->FET(S) 負荷----->FET(D) と接続し、3.3VのON-OFF(マイコン制御)でFETのON-OFFができたりするものなのでしょうか？ FETのデータシートにゲートしきい値電圧(VGS(th))が2VとかありますがこれはG-S間電圧が2V以上でONするとか2V以下でOFFするとかいう意味なんでしょうか？という以前にこんな接続で動くかいっ！！って見当ハズレなことを言うてるかもしれませんが・・・教えて下さい。よろしくお願いします。

ｎ-ＣＨ　MOS FETのみ

こんにちは、以下について質問させてくださいモータを正転、逆転をするのにＨブリッジをn-ch MOS FETのみで組みたいのですが、中々うまくいきません。回路については次のようなものを組んでみました。（図が汚くてすみません。すみませんがフォントを見やすい物に直して見てください。）電源電圧=12V、入力電圧=5V、Tr1=C1815-GR, Tr2=A1015, FET1=K2586　抵抗値はE系列のものではなく計算したものの値を小数点以下を切り捨てた大体のものです(計算結果は不安ですが…)。単体の構成は上段のみ…Vcc→FETのD→FETのS→モータ→GND 下段のみ…Vcc→モータ→FETのD→FETのS→GNDです… 全体は　 Vcc(12V) Vcc(12V) 　 | | 　 | | 　 | | 　 | | 　 | | C(Tr1) | |---------B(Tr1) | | E(Tr1)---| | | | 　| 入力(5V)--抵抗(6.1KΩ)---| | D(FET1) | |-----抵抗(73Ω)---G(FET1) | | S(FET1) | E(Tr2)---| | |---------B(Tr2) | C(Tr2) | | | | | | M GND | | 　　　 | 　　 | 　 Vcc(12V) 　　 | 　 | 　　 | | 　　 | C(Tr1) | |---------B(Tr1) | | E(Tr1)---| | | | 　| 入力(5V)--抵抗(6.1KΩ)---| | D(FET1) | |-----抵抗(73Ω)---G(FET1) | | S(FET1) | E(Tr2)---| | |---------B(Tr2) | C(Tr2) | | | | | | | | | | | GND GND ※今は、下段のゲートとGND間にプルダウン用の抵抗20Kを入れてあり、上段のゲートとGND間にも同じ抵抗が入れてあります。ただ、上段について、どこかのサイトでプルダウン抵抗をモータの端子（上段のゲートと上段のソース間、、上段のゲートと下段のドレーン間、どちらか判りません）に持っててもよいとの記述があったような無かったような・・・どれが良いのでしょうか？この回路で下段についてはうまくいってると思うのですが（回ってるし・・・）上段がやっぱっりうまくいきません、発熱がすさまじくモータはかなり低速です。何かいい方法はないでしょうか？できれば負電源は使いたくないのですが…

MOS-FETの使い方

MOS-FETではゲートからドレイン＆ソース側へ電流が流れる事は無いと認識しています。この性質を利用して下記のような使い方をされる事はあるでしょうか？・2つの回路をMOS-FETを介して接続する。・ゲート側回路（以下、G側回路）からドレイン＆ソース側回路（以下　DS側回路）への電流の流入を無くす。・ゲート電圧だけを利用してDS側回路へゲート電圧を印加する。

FETに±の方形波

質問者が選んだベストアンサー

補足 2011/03/30 08:46

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