導電膜に関してです。

質問

スパッタリング法で導電薄膜の作製を行いました。
アニール後の薄膜の電気伝導率が、膜厚に反比例して低下しました。
基板と膜との熱膨張係数の違いにより、亀裂が生じたのではと考えSEM測定を行いましたが、亀裂は見られませんでした。
何が原因で電気伝導率の低下が起こっているのでしょうか。
どなたかご存知の方、よろしくお願いします。

回答No.2

sanori

補足をありがとうございます。

セラミックは大学で、薄膜は仕事で扱ったことがありますが、LaCoO3 という物質は知りませんでした。
コバルト酸ランタンっていうんですね。

LaCoO3 特有の問題は私にはわからないので、
ＳＥＭ亀裂が見えないとなると、スパッタに使う希ガスが膜の中に取り込まれていて、アニール後にボイドになっているとか。
んー、違いますかね・・・。
（断面ＳＥＭをやっていたのなら、すでにわかってますよね）

お礼

ご丁寧にどうもありがとうございました

回答No.1

sanori

よろしければ補足してください。

電気伝導率が膜厚に反比例するということは、電気抵抗が膜厚によらず一定ということですか？
あと、差し支えなければ、導電膜と基板が何であるかの情報も。

補足

すみません、説明が足りませんでした。
現在最適の製膜時間の膜は、結晶化させることで電気伝導率が向上しています。
しかし、その膜より膜厚を厚くすると、堆積後の電気伝導率は、最適の膜と比べて向上しているのですが、結晶化させると、逆に電気伝導率が低下しています。

膜はLaCoO3、基板は石英ガラスです。
よろしくお願いします。