ベストアンサー トランジスタについて 2010/02/11 15:47 トランジスタについて 今トランジスタについて調べているのですがトランジスタは半導体素子だとwikiに書かれていました。 ということはソース,ゲート,ドレインすべて半導体でできているのですか? みんなの回答 (2) 専門家の回答 質問者が選んだベストアンサー ベストアンサー info22_ ベストアンサー率67% (2650/3922) 2010/02/11 16:11 回答No.2 MOS-FET(金属酸化皮膜電界効果トランジスタ)は半導体素子で3つの電極の、ソース,ゲート,ドレインも半導体(n型,p型)でできています。 なお、バイポーラ型のトランジスタの3つの電極のエミッタ,ベース,コレクタも、半導体(n型,p型)でできています。 通報する ありがとう 0 広告を見て他の回答を表示する(1) その他の回答 (1) debukuro ベストアンサー率19% (3634/18947) 2010/02/11 15:54 回答No.1 そうです 通報する ありがとう 0 カテゴリ 学問・教育自然科学化学 関連するQ&A トランジスタ トランジスタについて誤っているものはどれですか? (1)トランジスタは電気信号を増幅する能動素子である。 (2)トランジスタの入力信号はベースに加えられる。 (3)トランジスタのコレクタ電流はベース電流に比べて大きな電流を流すことができる。 (4)トランジスタはP型半導体とN型半導体の2極構造である。 (5)トランジスタは電流増幅作用がある。 トランジスタとは?簡単言うと? 最近CPUの勉強をはじめて、「トランジスタ」というものがよく出てきます。辞書で調べても説明が難しくて全然わかりません。 Q1.トランジスタとは何ですか?簡単に説明してください Q2. e-Wordsで調べたら、「増幅機能を持った半導体素子。」や「真空管に代わる電子素子として様々な機器に組み込まれている。」などと載っていますが、素子って何ですか?簡単にお願いします。 ダイオードやトランジスタなどについて ダイオードやトランジスタなど半導体素子が動作する場合、素子自体で電圧降下は発生する? mosfetトランジスタの耐圧について mosfetトランジスタの耐圧について教えて下さい。ゲート-バックゲート間はゲート酸化膜で 耐圧が決まってくることは単純にわかるのですが、ゲート-ドレイン/ソース間の耐圧は物理的に何に依存して決まってくるのでしょうか? トランジスタの原理 トランジスターの原理で教えてください。 パワー系などのトランジスターは裏面がドレインで たとえばNchの場合、Nchの下にP-があり ゲートONでP-がNになり、サブのNからこのNを通ってソースのNへ流れると思いますが、同時によく 図などではもう1つp-の中に、さらにp+が入っている図を見ます。こちらもソースになるのでしょうか?こちらにコンタクトしても流れるのでしょうか? MOSトランジスターのゲートはなぜPolyなのですか? 半導体に詳しい方教えてください。 MOSトランジスターは名前の通り、金属(metal)-半導体酸化物(oxide)-半導体(semiconductor)の三層構造だと思っていました。つまりゲートはアルミなどの金属だと思っていました。しかし、ほとんどのMOSトランジスのゲートがPolyであることを最近知りました。なぜPolyなのでしょうか?単純に考えればゲートは電極なのだから抵抗値の低い金属の方が適していると思えるのですが。。。 電解効果トランジスタのリーク電流は実測出来ませんか? 電解効果トランジスタのリーク電流は実測出来ないという話を聞きました。 ゲートとドレインに電流計をつけたとしてもドレインとゲートの間に流れるリーク電流はソースから流れてきた電流と区別がつかないため、 実測出来ないそうなのですが、 本当なのでしょうか? よくトランジスタの記事などでは低リーク電流を謳っているものを見かけますが、あれはどうやって測定しているものなのでしょうか? トランジスタに関していくつか質問させて下さい 1. 普通のトランジスタでは、エミッタ、ベース、コレクタと呼ぶのに対してFETではドレイン、ソース、ゲートという呼び方をします。機能は同じなのになぜあえて違う言い方をするのでしょうか? 2. FETではゲートの他にバックゲートというものを使う場合もありますが、これを使うメリットは何なのでしょうか?バックゲートの使い分けについて教えて下さい。 3. 上記に似たものとしてデュアルゲートFETというものもありますが、これのメリットは単に流せる電流量が2倍なだけなのでしょうか?ドーピングの量を増やすとかならまだしも単にゲートに電極を2つつけただけで流せる電流量が増えるのは納得がいきません。どういうことなのでしょうか? よろしくお願いいたします。 電界効果トランジスタのチャネル形成について トップゲートトランジスタ等のゲート電極に正の電圧を加えたとします。 するとゲート電極下部のゲート絶縁膜上部は負に帯電し、下部は正に帯電すると思います(誘電分極)。よって半導体層界面の電子濃度が増加するのでチャネルが出来てソース・ドレイン間の電流量が増えるとの事ですが、この電子濃度が上がる要因とは帯電した絶縁膜の静電気的引力によって異符号のキャリアが直接吸い寄せられたという解釈でいいのですか?それとも静電気によって半導体層のポテンシャルが沈むように変化した結果、キャリアが溝に落ちてきて集まったと考えるのでしょうか? 一方逆に、ゲート電極に負の電圧を掛けると半導体層界面には電子濃度が減る事についても同様に説明されると思います。ただ、そもそも空乏層というのは、実空間的に界面近傍にキャリアが存在しなくなっているから電流密度が減ったのか、または波数空間的に対応するエネルギー準位のキャリアが存在していない(禁制帯)から電流密度が減ったのか、どのように考えればいいのでしょうか。 トランジスタについて 超伝導トランジスタが普通のトランジスタ(半導体)よりすぐれている点、劣っている点について教えてもらいたいです。 あと超伝導トランジスタがどんな分野に応用されるか教えてください。 電界効果トランジスタの特性について 有機の電界効果トランジスタのトランジスタ特性(SD電流-G電圧特性)を先日測定したところ、ゲート電圧をプラスへ上げていくとOFF状態になってソース・ドレイン電流が減少しました。そして何となくそのG電圧+50Vから折り返してマイナス-50Vの方にまで同様に電圧を掛けて測定してみたのですが、グラフが行きと帰りでは一致しておらず、グラフが縦の楕円のような曲線になりました。行きの+50Vの時のSD電流値より帰りの+40Vの時の電流値の方が下がるという妙な現象が起きたのですが、これはどのような原因が考えられますか。 参考書をいくつか漁ってみましたが、そのような内容は見当たりません。どなたか教えてもらえないでしょうか。ちなみに半導体層はp型です。 MOSトランジスタについて分からない事があります。 今、MOSトランジスタを勉強しています。 MOSトランジスタの飽和領域と非飽和領域についてはなんとか理解できたのですが、遮断領域というものがさっぱり分かりません。自分としては、「ゲート・ソース間電圧Vgsがしきい電圧Vt以下である時において、ドレイン電流Idが、Id=0となる。」だと思うのですが・・・大学の電気科の教授から、「ちょっと違う。まだ足りない部分がある」と言われました。 図書館などで調べてもあまり詳しくは分かりませんでした。なので、お分かりになる方がいらっしゃれば、回答よろしくお願いしますm(_ _)m 半導体の動作原理について はじめまして。すごく初歩的な質問で申し訳ないのですが、半導体のICに『ソース』『ドレイン』『ゲート』がありますが、あれは何の為にあるのですか?電気を流す為というのはわかるのですが、なぜ3つもあるのかなど・・・。専門的な人から見れば、つまらない質問かと思いますが、どうぞよろしく。 トランジスタ エミッタ接地回路で負荷抵抗Rcはなぜあるのですか? また、 http://www.kairo-nyumon.com/analog_basic.html このサイトの >>トランジスタに流れる電流は、コレクタ-エミッタ間(もしくはドレイン-ソース間)の電圧が小さくなると、あまり増えなくなる というのはなぜですか Cdsセル,LED,トランジスタについて Cdsセル,LED,トランジスタの性質と電気特性について調べているのですが、自分ではうまくまとめられません。 どなたか簡単でいいので説明していただけませんか? ちなみに、自分で簡単にまとめたのは ・Cdsセル 当たる光の量によって抵抗値が変化する。 ・LED 一般的なダイオードと同じく極性を持っており、カソードに対し、アノードに正電圧を加えて使用する。 ・トランジスタ 増幅やスイッチ動作をする半導体素子。 よろしくお願いします。 電圧または電流に比例した電流制御 電源はDC24V、30Aのスイッチング電源です。 これの電流を、0Aから30Aまで、電圧または電流の制御信号に比例して流したいと考えています。 この場合、どんな素子が良いでしょうか? 私は、 バイポーラトランジスタ: ベース電流で制御できる MOSFET: ゲート電圧で制御。ただし、ゲート電圧に比例してドレイン電流が流れる範囲が小さい IGBT: ゲート電圧で制御。ゲート電圧に比例してドレイン電流が流れる と考えて、バイポーラトランジスタかIGBTがいいのではないかと考えたのですが、、 どうぞよろしくお願いします。 トランジスタの問題 正しいものを選んでください 1)ベース接地のトランジスタは入カインピーダンスが低い。 2)トランジスタはベース接地で使用しなければならない。 3)接合型電界効果トランジスタは電圧制御型の素子で、ゲート電圧により空乏層の広がりを調節 する。 4)モノポーラトランジスタは電力消費が小さく、増幅率の温度特性が安定している 5)MOS型FET は、入カインピーダンスが高く静電気に強いので、集積回路 (IC)に よく使われる。 6)トランジスタを利用した増幅回路の最大出力は電源に依存する 私の解答は1.5です。 合っているでしょうか? mos形電界効果トランジスタについて 標記についてゲート端子を2つものがあり、一般的にはそのうち1つはソースに接続されることが多いと記載されているのですが、2つのゲート端子の場所やどのように接続されているのかという図などがありません。 図書には3端子のものしかなく ゲート端子が中央に絶縁皮膜の上に接地されており、両サイドにソースとドレイン端子が記載されているだけで、2つめにゲート端子、それと接続されるというソース端子がわかりません。 なにかよい資料はありませんでしょか。 MOSトランジスタ(電界効果トランジスタ)のバックゲート電圧について教 MOSトランジスタ(電界効果トランジスタ)のバックゲート電圧について教えてください。 よくMOSの2段縦積み回路(カスコード接続)で2段目のバックゲート電圧を1段目のバックゲート(1段目のソース電位)に接続している回路を目にするのですが。 2段目のバックゲート電圧を2段目のソース電位ではなく1段目のソース電位に接続する目的はどのようなことがあるのでしょうか?どなたかご存知の方がいらっしゃいましたらご教授ください。 自分の考えた結論としてはVth電圧を低くしてVdsを確保できるようにかな??っと思っているのですがあっていますでしょうか?もうひとつの疑問点としてその時の2段目と1段目Vgs電圧に違いはでるのでしょうか? ご教授よろしくお願いいたいます。 ディスクリート半導体とは? 先ほどこちらで質問をさせて頂き。 ディスクリート半導体という用語をしりました。 基盤関係の修理を趣味で行う場合、このようなディスクリート半導体や 電解コンデンサの修理までは出来ると考えてよいのでしょうか? ----------------------------------------------------------------------------------------------- オーディオ機器関連でよく使われる「ディスクリート回路」とは、IC(集積回路)、LSI(高密度集積回路)などの半導体素子を一括して作成した集積回路ではなく、トランジスタ、コンデンサ、(半導体)ダイオード、などの単体素子(ディスクリート半導体、等)で組み立てられた回路のこと。2018/03/06 ディスクリート半導体 読み方:ディスクリートはんどうたい 別名:個別半導体,単機能半導体 【英】discrete semiconductor ディスクリート半導体とは、ICやLSIなどの複雑な半導体とは異なり、1つの機能のみを備えている単純な半導体のことである。 ディスクリート半導体は大量生産が行われるため、既に仕様が決められており、同じ仕様の製品が多くのメーカーによって製造されている。具体的には、 コンデンサ、トランジスタ、ダイオード、MOS FET、IGBTなどが、ディスクリート半導体に相当する。