メモリ書換え回数低減の工夫

質問

メモリの書換え回数に制限のあるEEPROMやフラッシュメモリを
使う場合、書換え回数保証内で使用するためどういった工夫が
されているのでしょうか。

私が知っているのは下の2点だけです。
　(1)電源が落ちても保持したいデータはフラッシュメモリへ
　書込み、最悪保持できなくてもいいデータは回数制限のない
　SDRAMへ書き込み、フラッシュメモリへの書込み回数を減らす。
　(2)書込み先が特定箇所に集中しないようにローテーションして
　書き込む。
この2点以外にあるのでしょうか。

回答No.2

takepon256 · ベストアンサー

(3)NANDフラッシュなどはブロック単位で構成されているため、細かい単位で書き込むと無駄に(2)のローテーションされて寿命を縮める。書き込むときはある程度まとまったデータを書き込むようにする（Windowsであれば遅延書き込みを有効にするとか）
http://www.hscjpn.co.jp/download/file/NAND_FD_kakikae_jyumyo.pdf

回答No.3

kent85

ファームウェアの格納領域として利用する。
( ROMの代わり )

ユーザに、存在自体を隠す。

回答No.1

ESE_SE

既に汎用的になっているのかどうか不明ですしデバイスレベルの話になりますが、

・ファイルを消すときはヘッダのみ消去。
・ファイルを書き込むときはフォーマットせずにデータ領域を確保して各データセルを確認、
書き込もうとする値と一致する場合はそのまま使用する
（データセルの値がTrue、書き込もうとする値がTrueの場合は書き換えない。双方がFalseの場合も同じ）

というのがありますね。
これでこのデータセルに対して書き込み処理は行わなくて良いことになります。

MOドライブは耐久性ではなく書き込み時間がかかるため同様のプロセスを実装したところ、統計的に3割程度の速度改善がみられたそうです。