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Siの移動度について
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真性移動度というのは、不純物濃度を小さくしたときの移動度のことだと思いますが、電子と正孔の２種類の移動度があります。 単結晶Siの物性値は [1] が参考になります。その中に、移動度の不純物依存のデータがあります[2]-[5]。これは [1] のElectrical Properties → Mobility and Hall Effect に出ているものです。有名な書籍 [6] にも出ていますが、300K で 1500 cm^2/V/s（電子）、450 cm^2/V/s（正孔）という値が一般的です。ご存知かと思いますが [2], [3] がn型Siの移動度、 [4], [5] がp型Siの移動度です。 [1] Siの物性データ http://www.ioffe.rssi.ru/SVA/NSM/Semicond/Si/ [2] 電子のドリフト移動度とドナー濃度の関係（200K-600K) http://www.ioffe.rssi.ru/SVA/NSM/Semicond/Si/Figs/132.gif [3] 電子のドリフト移動度とドナー濃度の関係（300K) http://www.ioffe.rssi.ru/SVA/NSM/Semicond/Si/Figs/133.gif [4] 正孔のドリフト移動度とアクセプタ濃度の関係（200K-600K) http://www.ioffe.rssi.ru/SVA/NSM/Semicond/Si/Figs/137.gif [5] 正孔のドリフト移動度とアクセプタ濃度の関係（300K) http://www.ioffe.rssi.ru/SVA/NSM/Semicond/Si/Figs/138.gif [6] S.M.Sze "Physics of Semiconductor Devices", 1.5 Carrier Transport Phenomena
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