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金属・半導体接触
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- mmky
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＃２mmkyです。＃３damakさんの指摘どおりですね。 仕事関数の定義は、金属表面から電子が飛び出す時のエネルギーだよね。 0.35Vや0.25Vであるわけないよね。半導体間接合面の電位障壁（閾値）は差分だよね。差分と間違えました。ごめん。 金属とP型半導体の仕事関数差（差分）だとこのぐらいになるのかな。 でもP型のキャリヤ濃度でずいぶん変わるね。 金属の仕事関数は＃３damakさんの参考URLにありますね。 金属と半導体の仕事関数差は、以下参考URLにあります。 http://homepage2.nifty.com/~nyath/semiconductor/2.13.html http://homepage2.nifty.com/~nyath/semiconductor/contents.html 訂正まで damakさん、ありがとう。
- damak
- ベストアンサー率0% (0/5)
前回の参照元の続きに 各金属、半導体の値が載ってました。↓ 前回参照元と併せてご参照ください。 ＃２さんの理論をいくつか 覆してしまうかもしれませんが・・ ご参考になれば幸いです。
- mmky
- ベストアンサー率28% (681/2420)
＃１さんの回答と参考ＵＲＬがあるので、 参考まで 1.ｐ型半導体の仕事関数はいくらですか？ シリコン半導体ですとＰＮ接合で0.7Ｖですから半分の0.35Ｖがフェルミ 電位との差です。ゲルマニュームは0.5の半分かな。 2.p型半導体とオーミック接触となる金属とその理由 金、銀、アルミなどの自由電子のいっぱいある導体 （理由＃１さんのＵＲＬを参考に） 3.オーミック接触とショットキー接触の電流―電圧特性の違いと、その測定方法（理由＃１さんのＵＲＬを参考） 測定方は、ダイオードのアノードに抵抗と電流計を直列につなぎ、ダイオードのカソードをアースに接続します。抵抗に直流電圧をかけます。その電圧を0Ｖから増やしていきます。抵抗に流れる電流と、ダイオードの両端の電圧を測ると（＃１さんのＵＲＬを参考）のような電圧電流特性が得られます。 以上 参考まで
- damak
- ベストアンサー率0% (0/5)
１は構成元素によって異なるので 半導体関係の書籍を参照すると 載ってます。 ↓２，３の参考にしてください。 雑な返答で申し訳ない
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