• ベストアンサー
  • すぐに回答を!

トランジスタのhパラメーターについて

トランジスタのhパラメーターについてお聞きしたいんですが 2SC1815Yの規格表が知りたいです。 知りたい値は Hfe、Hie、Hre、Hoeです お願いします。。

noname#18089
noname#18089

共感・応援の気持ちを伝えよう!

  • 回答数2
  • 閲覧数1588
  • ありがとう数3

質問者が選んだベストアンサー

  • ベストアンサー
  • 回答No.1

     hパラは3ページ目の右上にあります。 http://www.ortodoxism.ro/datasheets/toshiba/964.pdf    

共感・感謝の気持ちを伝えよう!

質問者からのお礼

回答ありがとうございました。 参考にさせていただきました。 値がわからないと計算ができないもんで^^。

その他の回答 (1)

  • 回答No.2
  • ytrewq
  • ベストアンサー率28% (103/357)

東芝セミコンダクター社のホームページにデータシートがあります。 電子部品関係は多くの場合メーカーホームページにデータシートがある場合が多いので、捜してみてください。

参考URL:
http://www.semicon.toshiba.co.jp/openb2b/websearch/productDetails.jsp?partKey=2SC1815

共感・感謝の気持ちを伝えよう!

質問者からのお礼

回答ありがとうございました。 参考にさせていただきます。。

関連するQ&A

  • バイポーラトランジスタのhパラメータ

    最近バイポーラトランジスタの勉強でデータシートを見る機会が多いですが、一昔前のバイポーラトランジスタのデータシートにはhパラメータ(hfe,hoe,hie,hre)の記載があったりします。このうち、hfe,hieなどは数々の文献から電圧増幅の計算で使用されることはわかります。しかし、hoe,hreはトランジスタ回路の特性を求める計算には登場しないようです。 なぜなのでしょうか。 hoeは(Ic/VCE)の比で、VCEの変化に対するIcの変化(VCE-Ic特性のグラフの傾き)を表し、別の見方ではコレクタへの電流の流れやすさ(アドミタンス)を表し、極めて小さい値です。値的に小さい値であるし、トランジスタ回路の特性的な値を求めるのに必要ないからでしょうか。 また、hreはVCEに対するVBEの変化を表し、極めて小さい値です。なので、これも値的に小さい値であるし、トランジスタ回路の特性的な値を求めるのに必要ないからでしょうか。 それとも何かの計算で使用するのでしょうか。 ちなみに最近のデータシートは、hパラメータのうちhFEしか記載がないものもあったりします。なかにはグラフから読み取れるようになっているメーカもありますが、それすらできないメーカもあります。なぜ最近のデータシートはhFEしか記載していないのでしょうか。

  • トランジスタのhパラメーターについての質問。

    今、試験勉強の真っ最中なんですが、その中の問題での質問なのですが。 1)トランジスタを電圧増幅回路に用いるとき、増幅度は(利得)を大きくとるには、4つのhパラメーターのどれが大きければよいか? 2)トランジスタを増幅器として用いるとき、増幅すべき入力信号の信号源の内部抵抗が大きい場合、hパラメーターのうちどれが必要か? と言う二つの問題があり本やネットで調べても答えらしきものは見当たらず困っています。 ちなみに、 hie・・出力ショートの場合の入力インピーダンス hre・・入力端子開放の場合の電圧帰還比 hfe・・出力端子ショートの場合の電流利得(電流増幅率) hoe・・入力端子開放の場合の出力アドミタンス(S) です。 回答お願いします。

  • hパラメーターについて

    hパラメーターについて 先日、実験でエミッタ接地回路においてVbe-Ib特性、Ib-Ic特性を測定し、その特性曲線に接線を引いてhieとhfeを求めました。接線は何本か引けたのですが、そのうち1本の接線から求めたhie、hfeの値がトランジスタの規格の値に近くなる理由はどうしてでしょうか?同じ曲線からhパラメーターを求めているのに、接線によって値が全く違うのは何となくしっくりきません。 分かる方、ご教授お願いします。

  • 電気電子工学科 トランジスタの実験

    どなたか教えていただけませんか?? 電気電子工学科のトランジスタの実験レポートです。 今回、電気電子工学科の実験で、トランジスタを用いた回路を組み、さまざまな値を測定、計算して導出する。 といったことをやりました。そのレポートで、 考察 実験に用いたバイアス点は規格表のものと異なる。規格表の2つの図面を組み合わせて考えること。 といった考察がありました。 先生のヒント曰く、規格表 hパラメータ-Ic hパラメータ-Vce を用いて、各値を補正して導出する。 らしいのですが、、、 これが全くわかりません。どなたか教えていただけませんか?? 実験で使用したトランジスタが、TOSHIBA 2SC1815Y npn形 規格表は、リンク先です、http://www.semicon.toshiba.co.jp/openb2b/websearch/productDetails.j... 求める値は、hパラメータの hfe hie です。 実験から得られた値は、Vce=4.86[V] Ic=4.14[mA] それぞれ、コレクタ電圧 コレクタ電流 です。 お願いいたします。 当てはめるだけでは、 hパラメータ-Ic より hfe=195 hie=1.5*10^3 hパラメータ-Vce より hfe=185 hie=2.2*10^3 と、値が二つ出てきます。 これは、Vce=12V  Ic=4.14mA  のときと Vce=4.86V  Ice=2mA のときの値ですよね?? この考察では、 Vce=4.86V Ice=4.14mA のときの値を出したいのですが。。。

  • hパラメータを用いて小信号等価回路を作成する

    ちょっと質問します 大体はタイトルの通りなんですがhie,hfe,hre,hoe,のhパラメータを用いて 小信号等価回路を書き増幅度Avを求める。という問題なんですがどなたかお分かりになられる方はいらっしゃるでしょうか。非常に困っているのでどうかよろしくお願いします。ちなみに測定条件はVce=5V,f=270MHz,Ic=1mAです

  • トランジスタのhパラメータについて

    トランジスタのhパラメータについていくつか質問させて下さい。 (1)hパラメータの物理的意味について (2)hパラメータが一般的にトランジスタの等価回路定数として用いられる理由 (3)hパラメータの実測値と規格表の値を比較した場合、その誤差はなぜ生じるか 以上です。 回答してくださる方をお待ちしております。 それでは、よろしくお願いいたします。

  • デュアルトランジスタのhie

    デュアルトランジスタ(2SC3381)を使って差動増幅回路を組んだのですが、利得の理論値を求めるためにhieが必要なのですがどのように求めたらいいのですか? hfeに関しては規格表に載っていたのですが(min)=200、(max)=700とあるのですが、平均を取ってhfe=450とするのがふつうなのでしょうか?

  • トランジスタ-hパラメータの依存性について

    トランジスタのhパラメータの依存性について質問します。 hパラメータはコレクタ電流Icによってhfe以外は大きく変化しますが、コレクタ-エミッタ間電圧には依存しませんよね。。 なぜなのか、ご存知の方教えてください。 よろしくお願いします。

  • トランジスタのデータシート

    トランジスタのhパラメータはどうやって調べるのでしょうか? 例えば2N2222の hfeが知りたいのですが、わかりませんでした。 どなたか回答宜しくお願いします。

  • トランジスタのダーリントン接続

    hfeをあげる方法としてダーリントン接続があります。 理論上、電流増幅率は2つのトランジスタのhfeの積といわれております。 実際には、トランジスタのhfeにバラツキがあり、例えばhfe100のトランジスタとhfe150のトランジスタでダーリントン接続を組んだ場合、電流増幅率にかなりの違いが出てしまうのでは思います。 hfe100の場合:100×100=10000(理論値) hfe150の場合:150×150=22500(理論値) hfeのバラツキを考慮してダーリントン接続でhfeをある程度の値で固定したい場合、どのような回路にしたらよろしいのでしょうか?