ヒートシンクの設計方法とは？
- ヒートシンクの設計方法について知りたいです。
- FET素子に付けるヒートシンクを設計するための式を教えてください。
- ヒートシンクの設計に必要なパラメーターとは何ですか？
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ヒートシンクの設計方法
FET素子に付けるヒートシンクを設計したいのですが 素子の発熱量Ｑ（Ｗ）ジャンクション温度Ｔ1、環境温度Ｔ2、材料の熱伝率λ、厚さをｔ（ｍｍ）とした時どれくらいの面積Ａ（ｍｍ2）の材料を用意すればいいのかＡを求める設計式を誰か教えてください。
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材料と環境（空気）間の熱抵抗と純然たる放熱器の熱抵抗を考慮し、アルミ材の熱抵抗を計算したグラフを使った簡単な例を参考ＵＲＬに載せます。 あとはご自分でバンバンしてください。 他の注意点はＦＥＴだとパルス駆動されると思いますので過渡熱抵抗値の扱い、素子ケースと放熱器の接触熱抵抗の扱い（密着度、素材、表面あらさ）、放熱器と周囲環境との熱抵抗値バラツキ（風の流れや姿勢等）が考えられますが、一般的にはそれ程大きな値にならないと思います。 この辺は各半導体メーカでもバックアップしているはずですので、そちらに問い合わせると良いと思います。
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こんばんは。 少なくとも、材料と環境（空気）間の熱抵抗、素子のジャンクション－ケース間の熱抵抗、ジャンクションの上限温度（温度上昇限度値）が抜けています。
補足
アドバイス有難うございます。 言われたように材料と環境（空気）間の熱抵抗Ｒ１ 素子のジャンクション－ケース間の熱抵抗Ｒ２ ジャンクションの上限温度（温度上昇限度値）T３とした場合ではどのような計算式になるのでしょうか？
お礼
有難うございます。 検討してみますが、できればソフトを使用せずに 手計算にて算出する方法を模索しております。
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有難うございました。 参考にしてやってみます。