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真性半導体の電気伝導度
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ANo.1さんの通り、正直に意味付けすると、T が無限大( exp(-E/RT) → 1 )での導電率になります(その温度までその関係が成り立つとして)。しかしそれだと室温での導電率がすぐに分からないので、 σ = C*exp( -E/R/T) = C*exp( E/R/T0 )*exp{ -(E/R)*( 1/T - 1/T0 ) } と書き直してみるといいです。この式だと、T = T0 のときσ= C*exp( E/R/T0 ) となって導電率がどれくらいの桁の数値なのか分かりやすくなります。C*exp( E/R/T0 ) の次元も導電率です。半導体が Si の場合だと、T0 = 300K のとき、C*exp( E/R/T0 ) は 3.55×10^(-6) [1/Ω/cm] くらいの値になるはずです。
その他の回答 (3)
- inara
- ベストアンサー率72% (293/404)
ANo.2です。 C*exp( E/R/T0 ) は C*exp( -E/R/T0 ) の間違いでした。
- sanori
- ベストアンサー率48% (5664/11798)
こんにちは。 σ = Cexp(-E/RT)= C/exp(E/RT) ここで、T⇒+∞ の極限を考えましょう。 exp(E/RT) ⇒ exp(0)= 1 なので、 lim[T⇒+∞]σ = C つまり、CはTが無限大のときのσの値にほかなりません。 言い換えれば、(温度に関しての)σの上限を表します。 ただし、私のおぼろげな記憶では、その式が通用する温度範囲は限られていたような気はしますけど・・・
お礼
わかりやすい回答ありがとうございました!
温度が無限大のときの電気伝導度
お礼
すばやい回答ありがとうございました!
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お礼
わかりやすい回答ありがとうございました。 例もあげていただき参考になりました。 Cは半導体の材料などによって変わってくるのですね。