• 締切済み

FETの検査方法

現在FETを使用した回路を製作しているのですが、使用しているFETが壊れているのかどうかの確認方法が分かりません。できれば簡単な方法で確認ができればと思っています。 GaAs系FETで商品名は「Eudyna」の「FHX76LP」です。 ちなみにデータシートは以下です。 ​http://www.us.eudyna.com/e/products_e/wireless_e/hemt/FHX76LP_ED1-2...​ よろしくお願いします。

みんなの回答

  • tance
  • ベストアンサー率57% (402/704)
回答No.1

この手のFETは非常に静電気に弱いので、びっくりするくらい 神経質に扱わなくてはなりません。人体にストラップを つけてGNDする程度では不足でしょう。 さて、上記の注意が成されるとして、単純にはゲートと ソースをショートして、ドレイン~ソースに1Vくらいの 直流を印加し、20mA~30mA流れるかどうかを見れば良いかと 思います。厳密にチェックするにはIDSSの仕様に合わせて 流れる電流を検査します。(VDS=2VでIDSS=10mA~60mA) これは念のため発熱に注意して行ってください。 これは完全なチェックではありませんが、壊れているかどうか は解ると思います。 なお、FETがショートしていることもあるので、電源には 直列に抵抗などいれて過大電流が流れないようにして おくと良いでしょう。(たいていの直流電源には出力に 大きなコンデンサが入っているので、外部に抵抗は あった方が良いです)

関連するQ&A

  • FETの接続先がわかりません

    コイルとコンデンサ、ダイオード、そしてFETを使用して昇圧回路を製作しているのですが FETのゲートに入力信号を与えてON OFFを繰り返すのは知っているのですが、 入力信号とは何(どんな電子部品)のことを指しているのでしょうか?またゲートの先はどの部分に接続すればいいのでしょうか? 

  • FETの発熱について

    学校の実験で、昇圧チョッパ回路を応用した回路を製作しています。 スイッチング素子にFETを使用しているのですが、異常に発熱し焼損してしまいます。低電圧では問題ないのですが、100V近くまで入力電圧を与えると非常に熱くなってしまいます。 実験の目的上、低電圧を対象としていないのでとても困っています。 どなたかアドバイスをお願いします。

  • 消費電流とFETのドレイン電流について

    はじめまして、PICを使った回路を製作している者です。 質問があるのですが、消費電流が30mAの回路の電源部分にFETを使った定電流回路をつけようと思うのですが、FETのデータシートに書いているドレイン電流6.5mAというのは、回路全体に流れる電流が6.5mAということなのでしょうか? また、消費電流が30mAの回路というのは、30mAが流れないと動作しないということで間違っていないでしょうか? コメント待っています。 ちなみに、秋月の2sk30Aを参考にしています。 http://akizukidenshi.com/catalog/g/gI-00528/

  • ブースト回路でFETを使用している理由がわからなくて困っています。

    http://blog.cincs.net/item/126.html 上記URLに使用されている2番目の回路図で「FETを使ってブーストする」と書いていますが、FETを使用している理由を教えてください。 「ネット上の先人達が残した資料」とあるのでネット上を調べましたが見つけられませんでした。 部品(MC34063)のデータシートではバイポーラトランジスタを使用しているのですが、FETにしている理由が分からないので詳しく教えてください。

  • MOS-FETの高速スイッチでアンダーシュートを消すには?

    高電圧(300V)をOn-Offするのに日立のMOS-FET 2SK3234を使って簡単なスイッチを作りました。回路はhttp://documentation.renesas.com/jpn/products/transistor/rjj03g1069_2sk3234ds.pdf に載っている簡単なスイッチング時間測定回路です。ゲートに加えるパルスは幅500usの5VTTLをマイコンで作って、1Hzで直接ドライブしています。なるべく配線は短くするようにして回路を組んだところ、スペックに近い高速の立ち上がり、立下り時間を持ったソースドレイン間電圧Vdsを観測できました。ですが、ターンオンした際に、Vdsが300Vから0V(グランドレベル)を通り越して、-10V程度まで一旦下がり、時定数が100us程度のカーブを描いて0V付近に戻るような、アンダーシュートが見られます。 回路図にある抵抗RLやRGの値をいろいろ変えてみたのですが、やはり同じような時定数のアンダーシュートが見られます(ただし-10Vという大きさは変化しました)。 原因を考えたのですが、FETは初めて使ったので、よくわかりません。これを防ぐには何か方法があるのでしょうか?だれか経験のある方がおありでしたら、教えていただけないでしょうか。

  • MOS-FETの使い方

    ギター用エフェクターやミキサーのパラメータを外部入力される音声信号で制御する回路の製作を考えています。 まず、手元の回路図から音の大きさを電圧に変えるエンベロープフォロワを作りました。この回路の出力は数十mVから数Vですが、この出力電圧でエフェクターやミキサーの操作をしたいと考えています。出力電圧をFETに入力してLEDを駆動し、光をCdSで受けてミキサーのボリュームつまみなどの抵抗値を変化させる図のような回路を思いつきましたが、正しいかどうか不安です。 また、R1,R2の定数の決め方が分かりません。 他の方法やアドバイスなど、何でもよいのでよろしくお願いします。

  • パワーMOS-FETをドライブする回路がつくりたい

    日本インター製のMOS-FET,PDM505HCを使用して,500[W]程度の直流(50-60[V],8-9[A]程度)をスイッチングしたいと考えています。 FETは電圧駆動素子だから,ゲートに電圧信号を送りさえすれば動作してくれると浅はかな考えをしていたのですが,このクラスのものになると寄生容量に流れ込む電流の問題などもあるようで,適切な駆動回路が必要と知りました。 電子回路工作などをなさっている方から見れば稚拙な内容かと思うのですが,専門外のため具体的な設計方法などがわからず,駆動回路の構成例を示していただきたく,質問いたします。 信号源としてはファンクションジェネレータを使用し,±2.5[V]の矩形波を送ります。 周波数はなるべく広い範囲に振りたいと考えており,希望としてはDC-300[kHz]程度までです。ファンクションジェネレータ自身は1[MHz]まで出せるものを使用します。 使用する素子まで具体的に示していただければ最高です。 詳しい方,よろしくお願いいたします 参考:PDM505HCのデータシート(PDF) ttp://www.niec.co.jp/products/pdf/pdm505hc.pdf

  • MOS-FETの使い方 2

    OV~8Vの直流電圧の変化をLEDの光に置き換え、CdSの抵抗値を変化させる下図のような回路を製作しています。 電圧の変化はMOS-FETを使って電流に変換しているのですが、MOS-FETの閾値が2Vほどあるので入力電圧が0V~2Vのときの電圧の変化をLEDに反映させることが出来ずに困っています。 数日前にもここでアドバイスして頂きゲート電圧を閾値分シフトする、つまり入力電圧が0VのときVgsに2Vかかるようにすればよいということが分かっているのですが、実際にやってみるとうまくいかず具体的な方法がよく理解できていなかったようです。 できればオペアンプは使わずになるべくシンプルな方法で済ませたいのですが、どなたかアドバイスお願いします。 ちなみにVinはオペアンプ4558の出力です。(http://kazukiakiyoshi.cocolog-nifty.com/photos/schem/image1.jpg)

  • 電子回路 FET

    差動ラインドライバから受けた信号で LEDを点滅する回路を 作成しております。 LEDは高速赤外を使い 1MHz程度で情報を 送りたいと考えています。 LEDの数は40個以上で 1LED辺り 150mA 程度流すことを考えて ます。電源は5Vです。 よってLED数個を 1個のFETでスイッチ することを考えました。 差動ラインドライバは SN75ALS176B を使っております。 Iohが -400uA しかないため、 FETを数十個をパラレルに ドライブする事は直感的に難しいのではないかと思うのですが、 どの数値を持って計算すれば良いのか分かりません。 また、FETを2段接続して駆動する方法も考えましたが、FETの ダーリントン接続を行うときの注意点はありますでしょうか? FETには NDS355Nを使用しています。 よろしくお願いします。

  • n-CH MOS FETのみ

    こんにちは、以下について質問させてください モータを正転、逆転をするのにHブリッジをn-ch MOS FETのみで組みたいのですが、中々うまくいきません。 回路については次のようなものを組んでみました。 (図が汚くてすみません。すみませんがフォントを見やすい物に直して見てください。) 電源電圧=12V、入力電圧=5V、Tr1=C1815-GR, Tr2=A1015, FET1=K2586 抵抗値はE系列のものではなく計算したものの値を小数点以下を切り捨てた大体のものです(計算結果は不安ですが…)。単体の構成は 上段のみ…Vcc→FETのD→FETのS→モータ→GND 下段のみ…Vcc→モータ→FETのD→FETのS→GNDです… 全体は   Vcc(12V) Vcc(12V)   | |   | |   | |   | |   | | C(Tr1) | |---------B(Tr1) | | E(Tr1)---| | | |  | 入力(5V)--抵抗(6.1KΩ)---| | D(FET1) | |-----抵抗(73Ω)---G(FET1) | | S(FET1) | E(Tr2)---| | |---------B(Tr2) | C(Tr2) | | | | | | M GND | |      |    |   Vcc(12V)    |   |    | |    | C(Tr1) | |---------B(Tr1) | | E(Tr1)---| | | |  | 入力(5V)--抵抗(6.1KΩ)---| | D(FET1) | |-----抵抗(73Ω)---G(FET1) | | S(FET1) | E(Tr2)---| | |---------B(Tr2) | C(Tr2) | | | | | | | | | | | GND GND ※今は、下段のゲートとGND間にプルダウン用の抵抗20Kを入れてあり、上段のゲートとGND間にも同じ抵抗が入れてあります。ただ、上段について、どこかのサイトでプルダウン抵抗をモータの端子(上段のゲートと上段のソース間、、上段のゲートと下段のドレーン間、どちらか判りません)に持っててもよいとの記述があったような無かったような・・・どれが良いのでしょうか? この回路で下段についてはうまくいってると思うのですが(回ってるし・・・)上段がやっぱっりうまくいきません、発熱がすさまじくモータはかなり低速です。何かいい方法はないでしょうか?できれば負電源は使いたくないのですが…