- ベストアンサー
ディジタル情報回路のMOSについて
「nMOSトランジスタとpMOSトランジスタのオン抵抗比較:どうして差が生じる? NANDどNORのどちらが高速?」 という課題を出されて手元のテキストやノートでは答えられずにいます。 手元のテキストには、オン抵抗はnMOS,pMOSの面積で決まるといったことが書かれていますが、pMOSとnMOSを比較した書き方はされていません。 また、NANDとNORの速度については、入力信号の違いでの出力インピーダンスの違いを緩和するバッファ回路挿入による遅延は書かれていましたが、 こちらも「どちらが」というような比較はされていません。 詳しい方おられましたら指南をお願いしますm(_ _)m
- みんなの回答 (3)
- 専門家の回答
質問者が選んだベストアンサー
関連するQ&A
- CMOS XOR回路の実現
pMOS nMOSを組み合わせたCMOSゲートで XOR回路を作成するという課題でつまづいています。 AND,OR,NOTゲート等を組み合わせるのではなく、 単一のCMOSゲートとして構成するというものです。 NANDゲート,NORゲートの組み方などは各所で紹介されているのですが、 XORゲートの組み方がわかりません。 ご教授お願いします。
- ベストアンサー
- 物理学
- CMOSゲートはなぜ負論理(NAND、NOR)?
大学でCMOSについて勉強をしました。 ここでひとつ疑問を持ちました。 なぜCMOSゲートはAND、ORではなくNAND、NORを使うのでしょうか? 人間の感覚から言って、AND,ORを使用したほうが自然だと思います。 NANDとNORだけで全ての論理が記述可能だそうですが、きっと実際はNOTも使うでしょう。 またゲートを構成する際に必要な面積は、ANDでもORでも NMOS2個、PMOS2個で変わらないと思います。 わざわざドモルガンの法則で論理式を変換するのが面倒です。 お解りになられる方がいらっしゃいましたら力を貸してください。 お願いします。
- ベストアンサー
- 科学
- FETのレイルツーレイル出力オペアンプの出力段について
FETでレイルツーレイル出力のオペアンプを組みたいのですが、 単純なカレントミラー負荷の差動アンプのあとに、レイルツーレイル出力用の出力段を作ろうと思います。 出力段として、 ・普通のCMOSインバータ(上側がPMOS,下側がNMOS)の構成 ・バイポーラの回路でよく見るプッシュプル回路のような、上側にNMOS,下側にPMOSという構成 の2つを考えたのですが、どちらがいいのでしょうか。この2つの違いとか得失とかがあったら教えていただけませんか。 (インバータにすると出力が反転してしまいますが、差動アンプにつなぐ線を逆側にしとけば問題ないですよね。) 高いゲインと、ある程度低い出力インピーダンスがとれれば、入出力特性が多少歪んでいてもかまわないのですが。
- 締切済み
- 物理学
- FETについて
FETについて 1.5Vの電池2つを使用して現在+5Vで動作しているものをON-OFFさせようと思います。 NMOSを使って+3Vと+5VとレベルシフトしPMOSを使い電源を供給します。 この場合+5VからRDS(ON抵抗)に流す電流分の電圧降下が発生しますか? 発生する場合5Vを降下させることなくスイッチさせることはできるのでしょうか? Relayを使えばいいのですが・・・。
- ベストアンサー
- その他([技術者向] コンピューター)
- オペアンプの出力段に入れるパワートランジスタの役割は?
よくオペアンプの出力段にパワートランジスタ(今回はnmos、普通はnmos?)を入れていますが、どういう役割があるのでしょう? またオペアンプの出力端子にゲートがつながって、ソースが最終的な出力端子、かつオペアンプのマイナス端子に帰還が帰っている(バッファ)場合、プラス端子に0.65V入力すればバッファなのでオペアンプの出力ではなく最終的な出力電圧を0.65Vにしようとしますが、ではゲートの電圧(オペアンプの出力電圧)は何Vになっているのでしょうか?ゲートに3V印加している場合です。 nmosがONするためにはソース電位よりゲート電位の方が高くないといけないのにオペアンプの出力端子に電圧が現れた時点ではソース電位はどうなっているのですか? お願いします。
- ベストアンサー
- 科学
- エミッタフォロアの抵抗値Reについて
単なるトランジスタのエミッタフォロアの電流増幅のバッファ回路 2SC1815に エミッタに抵抗Reだけを付けて、エミッタから出力取り出し の回路なんですが、 このエミッタの抵抗値の計算がもう一つわかりません。 実験すると全部5V(VB、Vce共)では基本どおり 出力の電圧はだいたい 5V-0.65V=4.3Vぐらい でも エミッタ抵抗は Re=1KΩでも Re=100KΩ にしても、流せる出力最大電流は同じだったんですが、 この抵抗Reを変えると計算式としてはどのようになるのでしょうか 出力インピーダンスなど 計算式があったりしますか できるだけ、簡素な計算式があれば教えてください。 計算式でなくても、このReが変わることで、どこがどうなるのか教えていただければとお願いします。
- ベストアンサー
- 物理学
- 100mAの電流を流すには
デジタル出力ボードを使って図のような回路構成で、 あるLEDに最大100mA(Vf=1.35V)の電流を流したいのですが、 このフォトカプラ(TLP281-4)のコレクタ出力を使って、 トランジスタ、抵抗を使い、LEDをON/OFFさせるには、抵抗値(R1,R2,R3)をどのように決めるのでしょうか? トランジスタは手元に2SC2655がありますのでこれを使いたいのですが。 ・TLP281-4のコレクタを出力とし、コモンは他3出力(TLP281-4なので)と共通になっている つまりエミッタを出力として使うのは不可 ・周囲温度は高くても40℃程度 ・LEDの電流制限抵抗は220Ωのボリューム。 非常に初歩的な話で恐縮ですがご教授のほどお願い致します。
- ベストアンサー
- その他([技術者向] コンピューター)
- CMOSの4049のようなICを探しています。
CMOSの4049のようなICを探しています。 4049の6バッファを 入力を全てショート 出力を全てショート して1個のバッファとして使用しています。 しかし、 1.出力を並列接続するのは、できればしたくないことです。 2.パッケージが8Pinぐらいの小さなものが欲しい。 ということで 21.スイッチング速度は4049並み 22.シンク、ソース電流は100mAぐらいほしい 23.電源電圧は+15Vぐらいまで使える 24.DIPパッケージで8Pinぐらいに小さいこと のような条件を満たすICを探しています。 ご存知の方、教えてください。 なお用途は2SKタイプのMOS-FETのゲートドライブです。 CPUから+5Vでもドライブできますが、 ON抵抗を小さくするため+12Vぐらいでドライブしたいのです。 ICでなくトランジスタで回路を組むという手もありますが、 それはしたくないのです。 よろしくお願いします。
- 締切済み
- 電子部品・基板部品
- 電子工作の部品(初心者です。)
手元の指南書によれば、 当たり前かもしれませんが、トランジスタやダイオード、ハンダ付け、抵抗などが、必要とあります。 恐らく、秋葉原か、大阪の電気街で購入可能かと思われますが、静岡の親戚の会社に新卒で入社予定なため、ちょっとおっくうになりそうです。 通販ないし、来店で、基礎的な部品を買えるところを探しています。どこかで買えるとこはないでしょうか? 大手のホームセンターとかでも買えるのでしょうか? 理学系で、理論的な電磁気を学びましたので、工学的なことはサッパリですので、関連として読んでおいたほうがいいかもしれない学問領域の指摘もあわせて、ご教授お願いします。
- ベストアンサー
- 物理学
お礼
移動度は物性系の講義でやりましたが、こういったところで絡んでくるのですね。 参考にさせていただいて関連を考察します。 ありがとうございました^^