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可変容ダイオードについて
部品メーカーのカタログには、ゲルマニウムを使用した可変容量ダイオードが見当たらなくて、シリコンを使用したものばかりですが、何故、ゲルマニウムを使用したものがないのでしょう？ また、ゲルマニウムよりも、シリコンを使用した可変容量ダイオードの方のが優れているような記述は、どこかにないでしょうか？
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>>逆方向漏れ電流の値、 >ＧｅはＳｉほどには純粋なキャパシタになりにくいと言うことでしょうか？ はい、そうです。Siの場合も一般のセラミックコンデンサーやチタンコンデンサー等に比べ並列抵抗成分が小さくなかなかQが大きく取れません。Geの場合はSiよりもう１桁小さいと思います。 >>SiよりGeの方が移動速度が速い >ＲＦ回路（電波の周波数）では、Ｇｅの可変容量ダイオードの出番があるということでしょうか？ 可変容量ダイオードを使う帯域（～600MHz）あたりまでの周波数であればSiで十分だと思います。それ以上の周波数では可変容量ダイオードの需要も低くなって来ると思います。 余談ですが、EP（エピタキッシャル・プレーナー）型TrのB-Cの逆方向特性の方が一般の可変容量ダイオードよりも良い特性が出る場合があります。（ただし容量比は負けます）、可変容量ダイオードが手に入らない場合は試してみて下さい。
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- pen2san
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一般に可変容量ダイオードは共振回路で使う事が多く、Qが高い事が要求されます。 可変容量ダイオードは逆接続で使用される為、逆方向漏れ電流の値、またその温度変化特性を重要視する必要があります。 その為、GeよりSiが多く使われています。 質問とは直接関係ありませんが、SiよりGeの方が移動速度が速いため超高周波領域ではGeの方が有利です。 実際にSi-Geトランジスターが実用化しており、数百MHzを超える周波数帯域で実用化されています。
補足
>>逆方向漏れ電流の値、 ＧｅはＳｉほどには純粋なキャパシタになりにくいと言うことでしょうか？ >>SiよりGeの方が移動速度が速い ＲＦ回路（電波の周波数）では、Ｇｅの可変容量ダイオードの出番があるということでしょうか？
- ts_2000
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#1でURLが抜けていました。 ごめんなさい。
- ojin
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まずは、URLを参考にしてください。 パリキャップ(バリアブルキャパシティ) - 電圧を加えると容量が変化する。
- ts_2000
- ベストアンサー率38% (8/21)
可変容量ダイオードに限らないと思いますが、一般的に ゲルマニウム半導体はシリコンに比べて温度特性が悪いので シリコン製のダイオードにとって代わられたのだと思います。 トランジスタも以前（何十年前？）はゲルマニウム製のものが 使用されていたと思います。
お礼
有難う御座いました。 >>はい、そうです。Siの場合も一般のセラミックコンデンサーやチタンコンデンサー等に比べ並列抵抗成分が小さくなかなかQが大きく取れません。Geの場合はSiよりもう１桁小さいと思います。 そうですね、Siの可変容量ダイオードの周波数特性の悪さに苦労させられたことがあります。 >>可変容量ダイオードを使う帯域（～600MHz）あたりまでの周波数であればSiで十分だと思います。それ以上の周波数では可変容量ダイオードの需要も低くなって来ると思います。 中間周波数で諸々の処理を行う理由の一つなのでしょうね。