PspiceでMOS-FETの内部ダイオード

質問

Pspiceを最近使い始めたばかりの初心者です。
DC-DCコンバータをMOS-FETのスイッチング動作でシミュレートしようと考えています。
国内メーカのspiceモデルを調べたところ、等価回路はすべて内部ダイオードがあります。
このspiceモデルを利用するためにBreakoutのリストから適切なMOS-FETのシンボルを
探してみたところ、内部ダイオードが反映された状態のシンボルがみつかりません。
この場合シンボルを自分で作成する必要があるのでしょうか？
以上、わかる方がいましたらご回答よろしくお願いします。

回答No.1

sawa001

回路図シンボルにダイオードが書いてないだけで、シミュレーションモデルには
たいがい入っていると思いますよ。

簡単な回路を書いてシミュレーションしてみればわかります。
例えばn-ch MOS FETなら、
ゲートとソースをGNDに接続し、ドレインに抵抗を介して負電源をつないでシミュレーション
してみてください。

もしダイオードが入ってないならドレイン電圧は負電源とほぼ同じ電圧になりますが、
ダイオードが入っているなら-0.7Vとかそんな電圧になるはずです。

お礼

sawa001様
ご回答いただきありがとうございます。
教えていただいた内容で試してみたところ、ご指摘通りの結果が得られました。
使用したモデルはNEC製MOS-FET 2SK3357で、シミュレートの結果Vsd≒-0.52Vとなりました。
メーカのスペックシートでIsd-Vsd特性がパルス駆動で掲載されてたので試しにシミュレートしたところ、ほぼ同等の結果になることが確認できました。
これで他のモデルも安心して検証に使用することができます。アドバイスしていただきありがとうございました。
ところで今回調べてみて思ったのですが、国内のメーカでspiceモデルを公開してるところは少ないようですね。見つけられたものの大半が海外メーカでした。需要が無いのかよくわかりませんが、不思議に思いました。