• ベストアンサー

半導体 出払い領域 不純物領域

inara1の回答

  • inara1
  • ベストアンサー率78% (652/834)
回答No.2

不純物領域と出払い領域の境目となる温度をExcelで計算する方法を紹介します。 【Excel VBA による Tb の計算法(Excel2002の場合)】 Excel のメニューバーの [ツール] → [マクロ] → [Visual Basic Editor] → [挿入] → [標準モジュール] で出た空白のコード画面に末尾のプログラムをコピー&ペーストで貼り付け、Excelシートに戻って、セルに =Tb( m, E, N ) と書けば式(3)の解を計算できます。m はキャリアの比有効質量(0.36など)、E は不純物準位の深さ [eV単位]、N は不純物密度 [1/m^3単位] です。以下のプログラムでは計算精度を 10^(-6) K としています。 ↓ここから Const m0 As Double = 9.10938215E-31 Const kB As Double = 1.3806504E-23 Const hB As Double = 1.054571628E-34 Const q As Double = 1.602176487E-19 Const pi As Double = 3.14159265358979 Function Tb(m As Double, E As Double, N As Double) If m <= 0 Or E <= 0 Or N <= 0 Then Tb = "VALUE!": Exit Function ' 入力パラメータが負ならエラー Dim s0 As Double, s1 As Double, Tmin As Double, Tmax As Double, T As Double, eps As Double Tmin = 1: Tmax = 1000 ' 解の範囲 [K] s0 = N - Sqr(2 * N * (m * m0 * kB * Tmin / 2 / pi / hB ^ 2) ^ (3 / 2)) * Exp(-q * E / 2 / kB / Tmin) s1 = N - Sqr(2 * N * (m * m0 * kB * Tmax / 2 / pi / hB ^ 2) ^ (3 / 2)) * Exp(-q * E / 2 / kB / Tmax) If Sgn(s0 * s1) > 0 Then Tb = "VALUE!": Exit Function ' Tmin~Tmax の範囲で解がないならエラー ' ---------------------- 2分法による解探し ---------------------- eps = 1 / 10 ^ 6 ' 温度計算の精度 eps = 0.001 なら 0.001K の精度で探す While Abs(Tmax - Tmin) > eps T = (Tmax + Tmin) / 2 s0 = N - Sqr(2 * N * (m * m0 * kB * T / 2 / pi / hB ^ 2) ^ (3 / 2)) * Exp(-q * E / 2 / kB / T) s1 = N - Sqr(2 * N * (m * m0 * kB * Tmax / 2 / pi / hB ^ 2) ^ (3 / 2)) * Exp(-q * E / 2 / kB / Tmax) If Sgn(s0 * s1) < 0 Then Tmin = T Else Tmax = T Wend Tb = T End Function ↑ここまで 【Excelのセキュリティーレベルの設定】 Excelのセキュリティーレベルが「高」になっていると、マクロを含むファイルを開いたときに、マクロを使っているという警告が出てマクロを使うことができません。その場合、警告ダイアログでOKをクリックした後、以下の手順でセキュリティーレベルを「中」に変更してください(Excel2002の場合)。   メニューバーの [ツール] → [オプション] → [セキュリティー]タブ → [マクロセキュリティー] → [中] を選択 → OK → OK セキュリティーレベルを「中」に変更した後にファイルを開くと、マクロを使っているという注意が出ますが、「マクロを有効にする」を選択すればマクロを使うことができます。

txllvo
質問者

お礼

ありがとうございます。 Excelのマクロは使用したことがないので挑戦してみようと思います。

関連するQ&A

  • 半導体の電気伝導度の温度依存

    半導体は温度が上がると電気伝導度が大きくなるのは分かるのですが、真性半導体と不純物半導体での電気伝導度の温度依存に違いがあるのかがよく理解できません。 後者には不純物に由来するキャリアがある分、真性半導体よりも温度が上がった時に電気伝導度が大きくなるのかなと考えたりしていますが・・・ 解説よろしくおねがいします。

  • 半導体について

    半導体の実験をしました。試料はゲルマニウムです。 ホール係数はマイナスなので電荷の種類が電子であることがわかりました。n型半導体(不純物半導体)であるとわかりました そこで、キャリア密度の温度依存性を見るために、lognー1/Tのグラフをつくりました。ここででてきたグラフが、参考書に載っていた固有領域(高温領域)をしめしました。 つまり、高温では真性半導体の特性をもち、低温では不純物半導体の特性を示しているのでしょうか? よくわからないので、わかる人おしえてください。 あと参考になるHPがあればおしえてほしいです。 よろしくお願いします

  • P形半導体とN形半導体について

    P形及びとN形半導体結晶の結晶結合方式名をおしえてください。また、不純物の一般的名称及び、多数キャリアの呼び名について教えてください P形及びN形半導体結晶の結晶結合方式名→[] P形半導体不純物の一般的名称→[] 多数キャリアの呼び名→[] N形半導体不純物の一般的名称→[] 多数キャリアの呼び名→[] あと、P形半導体の電気伝導の機構、N形半導体の電気伝導の機構について説明お願いしたんですが

  • 半導体について

    『半導体』 「電気伝導性が導体と絶縁体との中間である物質。絶対零度では伝導性を示さず、温度の上昇に伴って伝導性が高くなる。ゲルマニウム・セレンなどがあるが、不純物を微量加えたn型・p型半導体のほうが実用が多く、ダイオードやトランジスタに利用。」 辞書には上記のように書かれておりますが、そもそも半導体ってどんな機械に使われているのですか? この性質を用いて何ができるのでしょうか? また、今は半導体業界が急上昇という記事を耳にしますが、半導体事業ってなぜ儲かっているのでしょうか?

  • 【緊急】半導体に関する課題

    大学で出された半導体に関するレポート問題がわからなくて困っています。分かる人がいらっしゃったら是非教えてもらえないでしょうか。 以下課題内容 1.半導体の特徴は不純物の導入によってその抵抗が大きく変化することと、温度依存性が金属等とは異なる振る舞いを示すことである。図(添付画像)に示すようなp型の半導体(Eg=2 eV、Ea=0.2 eV、Na=10^20 m^-3)における温度依存性において、 1)フェルミ準位の振る舞いと 2)正孔濃度の振る舞いについて、 a)真性領域 b)枯渇領域 c)不純物領域 に分け、各々の領域におけるバンド図を示しながら説明せよ。 2.シリコンのp-n結合において、ドナー濃度をNd、アクセプタ濃度をNa、真性半導体の濃度をni、ボルツマン定数をk、温度をTとするとき、接合して平衡状態になったときのバンド図を示し、発生する内部電圧を表す式を導出せよ。次に、p-n接合に順バイアスと逆バイアスを印加したときのバンド図を示して、ダイオードが整流特性を示す理由を説明せよ。

  • 熱を電気変換する半導体又は冷房用の半導体

    1.100度位の温度を、変換して電気を発生させる半導体 2.半導体に電気を加えて、温度を下げる(冷房) 異常のような半導体が有れば教えて下さい

  • 半導体の電気抵抗率

    実験結果から半導体の電気抵抗率は190Kぐらいから下がっているんですけど、これは半導体は温度が上がると電気伝導率が上がるという説明と矛盾していると思うのですが。どうか説明またはこのことの説明があるホームページを教えてください。

  • 半導体について

    半導体を知らない人に半導体の基本と役割を口頭で簡単に説明する場合、どのように説明すれば良いでしょうか? 友人に「どういう勉強してるの?」と聞かれ、「半導体」って答えると、必ず半導体って何?って聞かれます。このパターンが多々あり、勉強し始めの私は毎回困ります。 まだこんなことしか分かっていません。 ↓↓↓ 物質には電気を通す導体と電気を通さない絶縁体があるが、半導体はその中間に属していて..... シリコンでできている半導体にPやAlをドープするとn型、P型半導体になり....pn接合に電圧を加えて、電子が流れることで電流が流れる。  電気を通すことも通さないこともできるので便利。 上記のようにまるでまとまってません。導体や絶縁体よりも何が優れていて、半導体によって何が実現したのかを説明したいです。 勉強始めたばかりで、まだよく理解できていないのでどうか回答よろしくお願いします。

  • 不純物半導体のpn接合について

    物性工学を勉強する大学初年度の者です。 不純物半導体のpn接合についてなのですが、 n型半導体に添加する不純物密度を増やすと、拡散電位が増加するのは、イオン化されたドナーも増加するため、空乏層が広くなるからでしょうか? また、 n型半導体の不純物密度がp型半導体の10倍であったとき、空乏層は主にn型よりに形成され、このときのn型側、p型側の空乏層幅の比は n : p = 1 : 10 となるのであっていますでしょうか? 怪しい部分がありましたら、ご指摘ご教授して頂けると嬉しいです。 よろしくお願いしますm(_ _)m

  • 不純物半導体に添加する不純物の濃度

    不純物半導体を作製時にSiウエハに不純物を注入しますが、 基本的にどの程度の量(濃度)を注入するのでしょうか? 出来たら濃度をppmやppbで表して貰えるとありがたいです。