半導体の「DXセンター的な」結晶欠陥

質問

GaAs系半導体（GaInNAs）の研究を行っています。
文献を読んでいて気になったのですが、「DXセンター的な欠陥準位」とはどのようなものでしょうか。
どの記述をたどってもこれが何の欠陥を指すのか明記していないため、ここで質問させていただきました。
どなたかよろしくお願い致します。

回答No.1

hiro_wood · ベストアンサー

GaAs系化合物半導体にドナー不純物を添加したときに形成される深い準位を「ＤＸセンター」と呼んでいます。その正体は浅いドナーとなる置換型不純物が大きな格子緩和を引き起こして生じたものだそうです。ですので「DXセンター的な欠陥準位」とは上記起因に類する不純物の結果生じた欠陥準位ということになろうかと。　なお、応用物理 Vol.65 No.2 PP119-125 (1996) にDXセンターに関する詳細が出ているようですのでご参考になられてはいかがでしょうか。

お礼

ご回答どうもありがとうございます。
ドナー起因の欠陥ということですね。
文献もご紹介していただき、どうもありがとうございました。
助かりました。