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- eddieromeo
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- chiezo2005
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ドライエッチは複雑な現象なので，質問の情報だけでは答えることが難しいのですが，一般論的な話をします。 圧力が高いとプラズマ密度が高くなりますが，カソード側のイオンシースのできる位置がカソード面から離れることにより，被エッチング膜へ入射するイオンのエネルギーが小さくなってしまいます。 一般的にSiO2などの膜は純粋なラジカル反応だけではエッチングができず，ある程度の運動エネルギーを伴うスパッタ作用が必要とされています。圧力を下げるとエッチングレートが高くなるのはこれを示しています。 一方SiやSiNはFのラジカル反応だけでもエッチングが進むので，比較的圧力が高くても高いエッチングレートを保つはずです。 なおシリコン系の膜はすべて FラジカルによるSiF4（沸点－94.8℃）が形成されて揮発することによる反応がエッチングの主たる反応です。Oや，Nはもともと室温近傍では気体ですから，Siから切り離されてしまうと，固相にいることはできません。
- chiezo2005
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ガスは何でしょう? ガスを書かないと反応もなにも答えようがありません。
補足
すみません。CHF3、O2です。
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