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FETの小信号動作における相互コンダクタンスについて

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お礼率 33% (1/3)

FETの小信号動作における相互コンダクタンスについて分かりません。
分かる方おられましたらよろしくお願いします。
またそれに関わる、内部抵抗、電圧増幅率についてもおねがいします。
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回答 (全1件)

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レベル14

ベストアンサー率 36% (3818/10368)

相互コンダクタンスとは、gm と表記され、ゲート電圧を1V変化させた時のドレイン電流の変化量です。
単位はΩをひっくり返したモー(記号が出ないので)という単位を使います。実用上は大きすぎるので、ミリモーや、マイクロモーが使われます。
通常、数百マイクロモー~数万マイクロモー(数十ミリモー)程度でしょう。

内部抵抗は、ドレイン抵抗ともいわれ、rd と表記し、ゲート電圧固定で、ドレインーソース間を抵抗に見立てて、ドレイン電流を1A変化させた時のドレイン電圧の変化量です。単位はΩで、実用上は普通の五極管特性のFETで数MΩ、三極管特性のV-FETで数十~数百KΩ程度です。

電圧増幅率は、μ と表記され、無限大負荷抵抗をつないだときのドレイン電圧変化分をゲート電圧変化分で割った物です。単位はなく、無名数といいますが、強いて着けるなら「倍」でしょう。五極管特性FETで数百~数千、三極管特性FETで数十~数百位です。

この3定数の間には、μ=gm×rd の関係があります。

また、五極管特性のFETでは、ソース接地では、動作電流時のgm×ドレイン負荷抵抗 で、その回路のおよその電圧増幅率が計算できます。
お礼コメント
b4665

お礼率 33% (1/3)

わかりやすく書いていただき助かりました。
すごく参考になります。どうもありがとうございました。
投稿日時 - 2001-01-25 21:07:37


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