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SiO2とH[Al(OH)4]の反応を教えて下さい。

ume_pyonの回答

  • ume_pyon
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回答No.6

>ケイ素原子の3p軌道や、炭素原子の3s軌道や3p軌道にハロゲンの非共有電子対が入ることはできないのですか?? ◆Cの3s,3p軌道に非共有電子対が入らない理由 直接的な文献が見当たらなかったので,私の推測をば. まず,電子軌道は1s≪2s<2p≪3s<3p<4s<3d<4p・・・のように,2pと3sは結構離れています.だから,最外殻である2pよりも比較的高エネルギーである3sや3pなどと相互作用しても,それほど安定化エネルギーは得られず,それどころか単に非共有電子対同士の電気反発のほうが起こりやすいのではないか(Cは原子半径が小さいので,F同士が接近しやすい)というのが推測です. ◆Siの3p軌道に非共有電子対が入らない理由 Siは3sと3p軌道が,sp3混成軌道を作っているから. ちなみに,3s以上の軌道は,エネルギー的にそれほど大きな差がないので,混成軌道をつくりやすい傾向があるようです(私が今まで勉強した範囲では).dsp2やd3sp3混成軌道など. 基本的に,軌道同士の相互作用は,各軌道の重なり積分Sについて,S=∫φAφBdτ = 0かどうかという計算に基づいて判断されます(S=0なら禁制,S=0以外であれば許容).しかし,軌道が複雑になるにつれてこの計算も複雑になり,パソコンがないと予想ですら困難になります.興味がありましたら勉強してみてください. >>CH3というのが電子を押し出す力が強いので(電子供与性なので),O(δ+)-H(δ-)というOの極性を薄めてしまいます. すいません.寝ぼけてました.この発言,撤回させてください. O-Hの場合,当然Oはマイナスに帯電します.つまりR-O(δ-)-H(δ+)ですね. R-OH ←→ R-O- + H+の酸性を比較するには,中間体(この場合はアルコキシドイオン:R-O-のことです)の安定性を比較して,これが安定であるほど,この平衡は右に進みやすく,酸性が強いと言えます. ところが,Rの電子供与性が強いものであれば,R-O(-)において,Oのマイナス性が高められます(Rの電子がOに押し出されるので).すると,R-O(-)は全体として電子が局在化している(=極性が強い)ので,R-O(-)は不安定になります.この結果,電子が局在化して不安定なR-O(-)を生成するよりも,R-OHのように,H+を結合させたままでいたほうがずっと安定化するので,平衡は左へ移動します. また,もしもRが電子供与性の弱いものなら,Oのマイナス性はそれほど大きくなりません(電子の押し出し効果が弱いから).したがって,この中間体は電子がそれほど局在化していないので,中間体として比較的安定に存在でき,あえてH+をくっつけたままでなくても安定でいられます. (もちろん,H2OやCH3OHにしても,中間体(HO-やCH3O-)よりも,H+をくっつけたままのほうが全然安定であることには変わりませんが,相対的に考えると,HO-のほうが,CH3O-よりも安定であるということです). もしこれについて質問があるようでしたら,改めて別項目で質問しなおすといいですよ(私よりも詳しい人がたくさんいると思いますので). ちなみに,R-C=C-O-R'という有機化合物中ではO(δ+)になりますし,有機反応の中にはH-(マイナスに帯電した水素:ヒドリドといいます)というものもありますよ.

gedo-syosa
質問者

お礼

お礼が遅くなってしまいまして、どうもすみません。 国立大の受験に行っていたんです~。 無謀にも国立専願なので不合格だと浪人・・恐ろしいです(^^; >◆Cの3s,3p軌道に非共有電子対が入らない理由 >電子軌道は1s≪2s<2p≪3s<3p<4s<3d<4p・・・のように,2pと3sは結構離れています. これは、エネルギーが低い順番なんですよね。 とてもよくわかりました。どうもありがとうございます。 >◆Siの3p軌道に非共有電子対が入らない理由 >Siは3sと3p軌道が,sp3混成軌道を作っているから. あっ、そういえばそうですね。 つまんないことを言ってすみませんでした~。m(_ _)m 軌道とかVB理論とか、あまり詳しくやってないんで また大学に合格できたら学びたいと思います。 それ以下の回答も非常にわかりやすかったです。 これに関しては特に質問は(たぶん(爆)ないと思います。 どうもありがとうございました。

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