IP鍍金と電気メッキの密着不良の原因と対策
- IP鍍金と電気メッキの間で密着不良が起こる原因として、IPの膜厚と後の膜厚が異なることが挙げられます。
- IPの膜厚は0.1μほどで、後の膜厚はそれぞれ5μと0.5μです。この厚さの差が密着不良の原因となります。
- 密着不良を防ぐための対策としては、IPの膜厚と後の膜厚を均一にすることや、IPと電気メッキの間に適切な接着剤を使用することが挙げられます。
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IP鍍金と電気メッキ
Ti材にNiのIP鍍金を付けてその上に電気メッキにてNi、Pdを鍍金したいのですが、IPと電気メッキの間で密着不良を起こしてしまいます。原因と対策をお願いします。IPの膜厚は0.1μほどで、後の膜厚はそれぞれ5μ.0.5μです。よろしくお願いします。
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#1です。チタンとNi－IPの密着がしっかりしていれば問題ないとは、思うのですが・・ Niを厚めにして均一に付けた方が処理は、しやすいかも知れませんね 因みにTiとNi－IPの密着が悪く、Ni－IPがまだらに付いているためIPと電気メッキの間で密着不良に見える事も有りますのでご注意された方が良いと思います。
２０年ほど前、電気メッキ用の電極で、似たような処理を行った事が有りますが、原因は、IPの表面の活性化が良くないのだと思います。Niストライク鍍金を強めにかけられては如何でしょう。
お礼
早速のご回答有り難うございます。早速テストしてみます。IPの膜厚には問題はないでしょうか。
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お礼
有り難うございます。IP後のNiの厚みをもう少し厚く付けテストしてみます。