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- hiro_wood
- ベストアンサー率92% (12/13)
一般的な式 1/抵抗率=電子電荷×キャリア密度×移動度 が頭にあって、左辺が定数だと考えると確かにそうなりますが、それは表面的な理解であってその道のプロになろうという人は、もう少し深い認識が必要です。 電子が外からの電界によって固体中を移動するときにいろいろ散乱などの影響を受けている状態を外部回路を通してみたときに、それは「抵抗」として検出されるわけです。 その散乱がなければ、すーっと通るので移動度は高いです。 でも、じゃその電子は、そんなに簡単に動き回れる電子はどこから供給されているかとなると、例えば散乱の原因となっている元素だったり、格子欠陥だったりするわけで、そこが話をいろいろややこしくします。 HEMTという言葉を聞かれたことがあろうかと思います。 High Electron Mobility Transister の頭文字ですが、これは電子の供給源と電子の走行場所を構造的にわけてつくりこんだものです。 ご興味があればそのあたりもご覧になることをお勧めします。
- gandhi-
- ベストアンサー率73% (22/30)
恐らく電子-電子散乱のことかと思います。 電子密度が高くなると電子間での散乱が無視できなくなります。 しかし、普通の系では、電子-電子散乱を真面目に考慮する必要はありません。 それよりもフォノン散乱や不純物散乱が支配的だからです。 極低温、アンドープといった他の散乱を極力抑えた条件で、 かつ2DEGなどで電子密度が極端に高い場合にのみ、考慮すべき散乱の一つだと思います。
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