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ＭＯＳトランジスタ 静特性
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少しややこしいので半導体素子工学の教科書を探して下さい。 I=QWv Q=qn=(VG-V)*C C=eS/d=一定 v=u*n*E E=dV/dx から I=(VG-V)*C*W*u*dV/dx を導き、変形して I*dx=[C*W*u]*(VG-V)*dV が得られます。これを左辺は0<x<L、右辺は0<V<VDで積分して I*L=[C*W*u]*(VG*VD-VD^2/2) すなわち I=beta*(VG*VD-VD^2/2) を得ます。beta=[C*u*W/L]。この式はVG>VDで成り立ちVD>VGになると（飽和領域） I=(beta/2)*VG^2 です。VGは実際にはVG-VTと解釈します。
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お礼
わかりやすい説明ありがとうございます。 お陰さまで自分で導く事ができました。