• ベストアンサー

ECMのインピーダンス変換で高ゲート抵抗が要る理由

ECMのインピーダンス変換において、高ゲート抵抗が内蔵されているFET(2SK1109等)が必要であるという共通の了解があります。 でも、1GΩの抵抗は売っています。例えば2SK880-GRのゲート端子に1GΩのアキシャルリードの抵抗を接続しても2SK1109と同じようにはならないのでしょうか?

質問者が選んだベストアンサー

  • ベストアンサー
回答No.1

>例えば2SK880-GRのゲート端子に1GΩのアキシャルリードの抵抗を接続しても2SK1109と同じようにはならないのでしょうか? 2SK1109 と 2SK880 はスペックが桁違いでしょ~ Yfs とか Idss とか ちなみに JFET は G-S間電圧が一定なら、D-S間電圧に関係なくドレイン電流はほぼ一定だから プラグインパワーの電圧(約2~9V)が違ってもマイクの感度は変わらない。 2sk1109(J35) の Idss は 150~300μA だから電池でも長時間使える。

関連するQ&A

  • トランスのインピーダンス変換

    トランスのインピーダンス変換 トランスのインピーダンス変換について教えて下さい。 トランスは巻数比の2乗がインピーダンス比になるので、1次側がFETによるスイッチング回路、 2次側が200Ωの純抵抗、巻き数比が1:2とすると1次側から見た2次側のインピーダンスは50Ωになる と思うのですが、2次側から見た1次側のインピーダンスはどの様に計算すればよいのでしょうか?

  • 3SK22というFETはデュアルゲートではないのでしょうか。

    FET規格表2008/2009を見ていたところ、 『3SK22』がシングルゲートのところに記載されていました。 逆に、『2SK254』はデュアルゲートのところに記載されていました。 少なくとも3SK22はG1とG2がありますから、デユアルなゲートなのではないのでしょうか? なお、サイトの中には、 ~~デュアルゲート(4本足)FETの3SK22を用いた~~ などという記述も見られるため、正確なデュアルゲートFETの定義が知りたいです。 以上、よろしくお願いします。

  • FETのゲート端子について

    Nch-FET「IRLB3036PbF」のゲート端子に100Ωの抵抗器を入れて配線で外部に引き出しても、問題ないでしょうか?静電気対策が必要なのでしょうか?

  • SC-D70に対応するマイクについて

    お世話になります PCのサウンドデバイスにSC-D70を使用しているのですが ステレオミニプラグのマイクに標準プラグ変換を噛ませても音が鳴りません 調べたところ >(1a) ステレオミニプラグが主な2V電源FETプリアンプ内蔵の3端子ECM >(1b) モノラルミニプラグが主な2V電源FETプリアンプ内蔵の2端子ECM >(2) TSかXLRが主な600Ωのカラオケ/ボーカル用ダイナミックマイク >(3) ギターピックアップ >(4) ファンタム電源が必要な高級コンデンサマイク >どれも電気的に互換性がないから、対応していないと使えない。 >SC-D70で使えるのは(2)のタイプ という書き込みを見つけました。 マイクに関する知識はあまりありませんが、とりあえずこれでインピーダンス600Ωのダイナミックマイクを買えばいいということは分かりました。 ただ、検索して出てきたマイクなんですが値段がやや高いです。個人的にマイクは消耗品と考えていますので、高くても3000円台に抑えたいと思っています そこで質問なのですが、ステレオミニプラグをインピーダンス600Ωの標準プラグに変換出来る変換プラグというものはないのでしょうか。これだと今あるヘッドセットがそのまま使えますし何より安上がりになるのですが

  • インピーダンス変換器の意味

    今、DTMFを出力する機器の出力に600Ωの抵抗値をつけた疑似電話線をとりつけ、FFTアナライザでDTMFの周波数のデシベル値を確認してみたいと思っているのですが、以前これと同じようなテストをされた方からお話を聞いた時に、疑似電話線とFFTアナライザの間には必ず”インピーダンス変換器”を取り付けなければならないとおっしゃっていました。 理由として”FFTアナライザのインプットは50Ωで疑似電話線は600Ωなので、それをしないと正確な値がとれない” とのことでした。 私はこの意味がいまいちよくわかりません。なんかインピーダンスということはよく聞くし、アナログではとても重要と良く聞くのですが、なぜこのような”インピーダンス変換器”というものが必要になるのでしょうか?

  • インピーダンスマッチング

    初歩的な質問かもしれませんがお願いします。 現在、ある検波ダイオードから信号を広帯域増幅器(DC~150MHz)で 増幅したのち、オシロで観測しています。そのダイオードの出力が 300Ωで、増幅器の入力が50Ωです。当初インピーダンス整合を しなければいけないと思っていましたが、増幅器の説明書によると、 終端回路(50Ωの並列抵抗)で、増幅器は終端されているようです。 この意味は、増幅器の入力のところで50Ωにインピーダンス 整合が取られているということなのでしょうか?(自分自身で インピーダンス変換をする必要はないのでしょうか?) あるいは、ダイオードの出力側でも50Ωに変換する必要が あるのでしょうか?インピーダンス整合に関して、まったく知識が ないため困っています。よろしくお願いいたします。

  • サブウーファーのインピーダンスについて

    サブウーファーのインピーダンスについて スピーカー関係初心者です。 私の使用しているAVアンプ(SA-205HDX)には、2本の線を差し込むようなタイプと、普通のケーブルをさすようなタイプの、2種類のサブウーファー接続端子があります。 サブウーファーはインピーダンスが3Ωの物を使用してくれとAVアンプに書いてあるのですが、アンプ内蔵型のサブウーファーなら、これ以外のインピーダンスのものでも接続できるのでしょうか? ちなみに使用を考えているサブウーファーはSL-A250でインピーダンスは5Ωです。 よろしくお願いします。

  • ゲートにかける電圧の制限方法?(ゲートの保護回路)について

    ゲートにかける電圧の制限方法?(ゲートの保護回路)について こんにちは、以下について質問させてください。 まずは、現状を書きますと… 現在DCモータを回すのにFETでHブリッジを組んでいます。 回路図は写真のようにしようかと考えています。電源電圧は24Vです。 今回聞きたいのは、ゲートにかける電圧の制限方法です。制限という表現が合っているのかは解りませんが… 今回使用を考えているFETはVGSが±20Vの物です。今までは12V程度の電圧で制作していたのでゲートには0V-12V程度しか電圧がかからず、最大でもG-S間電位差は12V程度だったので写真(D1 ZDIODEとD2 ZDIODE無しの状態)のような回路図でもいけたのですが、 今回24VにしたことでG-S間電位差が最大24V程度となりFETの定格VGSをオーバーしてしまうため何かしら考慮する必要が出てきました。 というわけで、 インターネット(FET ディスクリート FAQ サポート ルネサスエレクトロニクス FAQ-ID : fet-1401 2SK1288の保護ダイオード)        (URL:http://www2.renesas.com/faq/ja/f_fet.html) を参考に写真(D1 ZDIODEとD2 ZDIODE有りの状態)のような回路を考えてみたのですが自分でも????というような感じです。 そもそも、ツェナダイオードをこのように使っても大丈夫でしょうか? 計算したところゲート電流は±300mA程度なのですが、ツェナダイオードは無事なのでしょうか? この部分の動作は、 下段はプッシュプルからの出力とGNDとの電位差がツェナダイオードの電圧より大きくなった場合、カソードからアノードに向かって電流が流れ、R11に流れる電流が増えその結果、 抵抗部分での電圧降下が大きくなり、下段FETのゲート電圧はツェナダイオードの電圧と同じになる(ゲートにかかる最大電圧)。 上段はプッシュプルからの出力と電源電圧との電位差がツェナダイオードの電圧より大きくなった場合、カソードからアノードに向かって電流が流れ、R5に流れる電流が増えその結果、抵抗部分での電圧降下が大きくなり、上段FETのゲート電圧はツェナダイオードの電圧と同じになる(ゲートにかかる最小電圧)。 でいいのでしょうか???もし、そうだとすると現回路ではツェナダイオードに過電流が流れ(抵抗はFETの立ち上がり周波数を高くするために、かなり小さく(82Ωを予定)してあるので)、死んでしまうのではないか?などとも思うのですが(無事かと聞きつつも…)どうなのでしょうか?? 仮に大丈夫だったとした場合、ツェナダイオードのスイッチングノイズ除去にコンデンサ(電解とセラコン)を入れようと思うのですが、効果は期待できるのでしょうか?入力容量が増えるだけのような気もするのですが…もし、メリットがあるとしたらそれぞれどの程度が望ましいんでしょうか?一様ツェナダイオードの電圧は12Vを予定していますがこの辺はカットアンドトライでやった方が無難でしょうか? また、別案として ゲートドライバ用に12V電源を作り、下段は0V-12V、上段は12V-24Vで信号をスイングさせようかとも考えたのですが、どう考えても上段のプッシュプルの前段が大変なことになりそう なのは目に見えてるし… G-S間に抵抗(抵抗6,12)を入れて分圧してゲート電圧を調整しようかとも考えたのですが、ゲート抵抗がそもそも、かなり小さいため追加の抵抗も小さくしなくてはならず、電力の無駄になってしまうため 今回は却下としました。今では抵抗5,10の1000倍程度以上を予定していますが特に根拠は無いです。今回の回路ではそんなに必要もないような気が… 基本的には写真のような回路図で行ってみたいのですが(ゲート保護は別として…)他に何かいい方法はないのでしょうか?また、一般的にどのような手法が用いられているのでしょうか? よろしくお願いします。他にもお気づきの点があればご指摘いただけると嬉しいです。 先ほど処理や写真を間違えて2回ほど削除してしまいました。見てくださった方がいたらすみませんでした。

  • スピーカーの抵抗に合うトランスの選定について

    インピーダンスの違うスピーカーの変換するためトランスを選ぶために表を調べたところ 一覧表にトランスの抵抗が「インピーダンス」と「直流抵抗」の二種類載っているのですが、 合わせたいスピーカーの抵抗値と、表の「インピーダンス」の抵抗値とが同じトランスの方を選べばいいのでしょうか? 本当はやってはいけないのでしょうが、ちょっと使うスピーカーにテスター当てて実測してみたら300Ωの記載通り実測300Ωだったのに対して、 トランスはインピーダンスの値と直流抵抗の値が違うようなのでどちらの値で合わせればよいのか悩みましたので、恐れいりますが教えてください。

  • n-CH MOS FETのみ

    こんにちは、以下について質問させてください モータを正転、逆転をするのにHブリッジをn-ch MOS FETのみで組みたいのですが、中々うまくいきません。 回路については次のようなものを組んでみました。 (図が汚くてすみません。すみませんがフォントを見やすい物に直して見てください。) 電源電圧=12V、入力電圧=5V、Tr1=C1815-GR, Tr2=A1015, FET1=K2586 抵抗値はE系列のものではなく計算したものの値を小数点以下を切り捨てた大体のものです(計算結果は不安ですが…)。単体の構成は 上段のみ…Vcc→FETのD→FETのS→モータ→GND 下段のみ…Vcc→モータ→FETのD→FETのS→GNDです… 全体は   Vcc(12V) Vcc(12V)   | |   | |   | |   | |   | | C(Tr1) | |---------B(Tr1) | | E(Tr1)---| | | |  | 入力(5V)--抵抗(6.1KΩ)---| | D(FET1) | |-----抵抗(73Ω)---G(FET1) | | S(FET1) | E(Tr2)---| | |---------B(Tr2) | C(Tr2) | | | | | | M GND | |      |    |   Vcc(12V)    |   |    | |    | C(Tr1) | |---------B(Tr1) | | E(Tr1)---| | | |  | 入力(5V)--抵抗(6.1KΩ)---| | D(FET1) | |-----抵抗(73Ω)---G(FET1) | | S(FET1) | E(Tr2)---| | |---------B(Tr2) | C(Tr2) | | | | | | | | | | | GND GND ※今は、下段のゲートとGND間にプルダウン用の抵抗20Kを入れてあり、上段のゲートとGND間にも同じ抵抗が入れてあります。ただ、上段について、どこかのサイトでプルダウン抵抗をモータの端子(上段のゲートと上段のソース間、、上段のゲートと下段のドレーン間、どちらか判りません)に持っててもよいとの記述があったような無かったような・・・どれが良いのでしょうか? この回路で下段についてはうまくいってると思うのですが(回ってるし・・・)上段がやっぱっりうまくいきません、発熱がすさまじくモータはかなり低速です。何かいい方法はないでしょうか?できれば負電源は使いたくないのですが…

専門家に質問してみよう