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Pure Silica ゼオライトの合成でF-を使用することによって，格子欠陥が減少するのは？
私は，ゼオライトについて研究をはじめた学生ですが， Pure Silica ゼオライト（オールシリカゼオライト？）の合成時に，HFなどのフロライドを使用することによって，格子欠陥が減少するという報告がありました． 参考書および論文などを読んでみると，フロライドを使用することによって，電荷のかたよりがなくなり（←間違ってるかもしれないです）ゼオライト形成時に発生する格子欠陥（Si-OHによる欠陥Q3）がなくなるようです． 論文を読み進めても，なぜ電荷のかたよりがなくなると欠陥がなくなるのか，よくわかりません． 何かアドバイスがあったら，よろしくお願いします．
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分子篩(モレキュラーシーブ）類には最近シリカライト以外にも多くのシリカだけからなる構造のものが記載されるようになりました。IZA分類。↓ http://www.iza-online.org/ ご質問の「ゼオライト」もそれらの一つだと思います。 多少古い総説にもフッ化物の使用が記されています。↓ http://www.tytlabs.co.jp/japanese/review/rev292pdf/292_011_inagaki.pdf ZSM-48のような高シリカゼオライトでもフッ化物イオンはSi-OHを減らす効果が知られています。 フッ化物イオンがどの様に欠陥を減らすのかについてはワタシの知識の外です。（未熟な触媒屋） 電荷の片寄りが無くなると欠陥が無くなるのではなく、欠陥が無くなると電荷の片寄りが無くなるのではないかと思いますが、考えられないでしょうか。 m(_ _)m
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お礼
ご回答ありがとうございます． 「電荷の片寄りが無くなると欠陥が無くなる」という部分を間違って誤訳していたのかもしれません． 英語は特に，苦手で読み違えているかもしれないので，もう一度確認して考えたと思います．