半導体メモリー

質問

非常に初歩的な質問で申し訳ないのですが、半導体メモリーって高周波数帯になればなるほどゲインが落ちると聞いたことがあるのですが、それは何故なのでしょうか？また近年それが改善されつつあるとも聞いたのですが、容量が増えたから？それとも他に何かあるのでしょうか？

回答No.2

noname#230359 · ベストアンサー

>>高周波数の振動が印加された場合センシングが難しくなる
物理的な振動の事ですか？　アクセス速度の事ですか？？

記憶容量が増える→メモリセルが小さくなる→構成されるキャパシタンス（Ｃ）が小さくなる→電子数が少なくなる→センシングが難しくなる
最近になって、１個の電子でこれを実現する動きが出ています、製品化できるのかな？？

お礼

またまた早速のご回答有難うございます。ちなみに物理的な振動で高周波側でゲインが落ちると聞きました。確かにDRAMの大容量化には限界がありそうな感じですね。

回答No.1

noname#230359

半導体メモリー（DRAM）でゲインが落ちる事かな
記憶容量が増えると、最小単位のメモリセルが小さくなります、すると記憶動作そのものに必要な電子数が少なくなり、これをコントロールする（センシング）が苦しくなります、これをゲインが落ちると言うんじゃなかったかな？？
いろんなテクニックで、メモリーの大規模化に対応しているので、今のところはゲインが確保されているようです。

したがって微細加工の限界がメモリ動作（ゲインの確保）の限界より先におとずれ， 大規模化を阻害する恐れがありそうです、そろそろＤＲＡＭも限界か？？

お礼

早速のご回答有難うございます。メモリの大規模化がゲインの確保に繋がっているのですね。色々勉強してみます。高周波数の振動が印加された場合センシングが難しくなると理解して良い物でしょうか？